[发明专利]低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路在审
申请号: | 202111468282.4 | 申请日: | 2021-12-03 |
公开(公告)号: | CN116230051A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 谢峰;毛凌锋 | 申请(专利权)人: | 浙江甬聚电子科技有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413;G11C8/14;G11C7/18;G11C5/14 |
代理公司: | 盐城中兴晟知识产权代理事务所(普通合伙) 32603 | 代理人: | 梁青松 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功耗 视频 应用 中的 新型 sram 架构 电路 | ||
1.低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路,其特征在于,包括以下步骤:
1)在进行读操作时,两条位线BL和BR最初都浮空在高电平上;
2)不失一般性,可以假设Q最初为0而QB最初为1,QB和BR都应当保持为1;
3)当字线WL电压上升时,BL应当通过驱动管ML1和存取管ML3被下拉至GND;
4)在BL被下拉的同时,节点Q却趋于上升;
5)因为虽然ML1使Q保持在低电平GND,但从ML3流入的电流却使Q升高,因此,驱动管ML1必须比存取管ML3强;
6)在本设计中采取将字线BL、BR和位线WL连接到低于单元电源的电压来获得更好的静态噪声裕度SNM;
7)在进行写操作时,同样假设Q最初为0并且希望写1到这个单元中,BL被预充至高电平并保持浮空,而BR被写驱动器下拉;
8)由上述的读操作可知读稳定性约束的限制,BL将不能通过ML3强制使Q的电平升高,因此该单元必须通过MR3强制使QB的电平降低才能写入;
9)但MR2阻止这一操作,因此MR2必须比MR3弱才能使QB下拉至足够低的电平;
10)采取将字线BL、BR和位线WL连接到高于单元电源的电压来获得更好的写噪声裕度WNM;
11)一旦QB下降至低电平,ML1变为截止而ML2变为导通,于是就将Q上拉至所希望的高电平。
2.根据权利要求1所述的低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路,其特征在于:所述三电源主要是指三个不同的低电位,分别为GNDH、GND和GNDL。
3.根据权利要求1所述的低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路,其特征在于:所述在视频应用中,如果设计能保持输出图像足够的质量,则存储或计算过程中的错误是可以接受的。
4.根据权利要求1所述的低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路,其特征在于:所述视频数据中的亮度和色度像素大致可以分为高阶位HOBs和低阶位LOBs。
5.根据权利要求1所述的低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路,其特征在于:所述当单比特位置的注入错误而导致质量下降时,错误发生在高阶位HOBs上时质量退化更强烈。
6.根据权利要求1所述的低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路,其特征在于:所述在这个存储器中,单元的电源电压是垂直路由的,并且在一列中的SRAM位单元的电源电压是连接在一起的。
7.根据权利要求1所述的低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路,其特征在于:所述每一列都有一个动态电源控制器,允许根据其操作和期望的图像质量控制电源供电电压。
8.根据权利要求1所述的低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路,其特征在于:所述读模式下,被保护的SRAM位单元的地电压连接到GNDL,不受保护的位单元的地电压连接到GND,降低错误发生在保护位上的概率。
9.根据权利要求1所述的低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路,其特征在于:所述写和空闲模式下,所有的SRAM位单元的地电压都连接到GNDH,来获得小于VDD的单元电压,这种更小的单元电压使位单元更容易编写,同时,随着功耗的降低图像质量也在增加。
10.根据权利要求1所述的低功耗视频应用中的新型SRAM架构电路,其特征在于:所述在读操作期间,存储阵列中的128个WL中的一个被打开,这使得这一行的所有位经历读压力。
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