[发明专利]一种用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器在审
申请号: | 202111468462.2 | 申请日: | 2021-12-03 |
公开(公告)号: | CN114203503A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 付学文;陈祥;张亚卿;刘芳 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01J37/09 | 分类号: | H01J37/09;H01J37/16;H01J37/29 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 刘美丽 |
地址: | 300071 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 扫描 二次电子 成像 探测器 | ||
1.一种用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器,其特征在于,该探测器包括承载本体、光电倍增管、光导管、闪烁体、栅网和滤光片;
所述承载本体内依次设置有光电倍增管、光导管和闪烁体;
位于所述闪烁体前方的所述承载本体前端设置有所述栅网;
所述光电倍增管和所述光导管之间设置有至少一个滤光片。
2.根据权利要求1所述的用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器,其特征在于,所述闪烁体包括从下到上依次设置的四层结构,其中:
第一层结构采用透明无气泡的玻璃;
第二层结构采用荧光粉层;
第三层结构采用铝膜层;
第四层结构采用增镀铝膜层。
3.根据权利要求2所述的用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器,其特征在于,所述铝膜层厚度为70~80nm。
4.根据权利要求2所述的用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器,其特征在于,所述增镀铝膜层厚度为200~500nm。
5.根据权利要求4所述的用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器,其特征在于,所述增镀铝膜层采用电子束蒸发镀膜或热蒸发镀膜。
6.根据权利要求1所述的用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器,其特征在于,所述滤光片采用可见光波段短通滤光片。
7.根据权利要求1所述的用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器,其特征在于,所述滤光片的数量为1-3个,直径为25mm。
8.根据权利要求1~7任一项所述的用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器,其特征在于,还包括光束终止器,所述光束终止器设置在超快扫描电子显微镜样品室内的试样镜面反射光路上,收集镜面反射光,防止泵浦光束及其反射光的影响。
9.根据权利要求8所述的用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器,其特征在于,所述光束终止器采用大恒光电GCX-M0201。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南开大学,未经南开大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111468462.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。