[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

将排列的多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理的处理槽；

第1气体喷嘴组，其在所述处理槽的内部配置在比所述多个基片靠下方的位置，向贮存在所述处理槽中的所述处理液释放气体；

第2气体喷嘴组，其靠近所述第1气体喷嘴组地配置，向贮存在所述处理槽中的所述处理液释放气体；和

控制各部的控制部，

所述控制部在所述多个基片被浸渍在所述处理液中而被处理时，从所述第1气体喷嘴组和所述第2气体喷嘴组中的一个气体喷嘴组向所述处理液释放气体，

所述控制部在检测出规定的切换条件的情况下，从由所述一个气体喷嘴组释放气体切换为由另一个气体喷嘴组释放气体。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述切换条件为所述一个气体喷嘴组中包含的气体喷嘴的堵塞信息。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述气体喷嘴的堵塞信息在所述气体喷嘴的气体供给压力成为规定的第1阈值以上的情况下被检测出来。

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

所述切换条件在所述气体喷嘴的气体供给压力成为比所述第1阈值大的规定的第2阈值以上的情况下被检测出来。

5.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述气体喷嘴的堵塞信息在贮存在所述处理槽中的所述处理液的水头压力成为规定的第3阈值以上的情况下被检测出来。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述切换条件在所述一个气体喷嘴组中释放气体的经过时间成为规定的阈值时间以上的情况下被检测出来。

7.如权利要求1～5中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述控制部在从由所述一个气体喷嘴组释放气体切换为由所述另一个气体喷嘴组释放气体之后，使所述一个气体喷嘴组大气开放。

8.如权利要求1～5中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第2气体喷嘴组相对于所述第1气体喷嘴组在上下方向上排列地配置。

9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：

形成在所述第2气体喷嘴组的多个释放口，配置在与形成在所述第1气体喷嘴组的多个释放口在俯视时相同的位置。

10.如权利要求1～5中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第2气体喷嘴组中包含的气体喷嘴具有与所述第1气体喷嘴组中包含的气体喷嘴大致相等的配管直径。

11.一种基片处理方法，其特征在于：

基片处理装置包括：将排列的多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理的处理槽；第1气体喷嘴组，其在所述处理槽的内部配置在比所述多个基片靠下方的位置，向贮存在所述处理槽中的所述处理液释放气体；和第2气体喷嘴组，其靠近所述第1气体喷嘴组地配置，向贮存在所述处理槽中的所述处理液释放气体，

所述基片处理方法包含在所述基片处理装置中进行的如下步骤：

在所述多个基片被浸渍在所述处理液中而被处理时，从所述第1气体喷嘴组和所述第2气体喷嘴组中的一个气体喷嘴组向所述处理液释放气体的步骤：以及

在检测出规定的切换条件的情况下，从由所述一个气体喷嘴组释放气体切换为由另一个气体喷嘴组释放气体的步骤。