[发明专利]PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质

权利要求书

1.PCB覆铜方法，其特征在于，所述PCB包括图形区域和非图形区域，所述PCB覆铜方法包括：

获取所述图形区域的第一残铜率；

将所述第一残铜率与预设范围进行比较，根据比较结果和对应的预设覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，以使所述第一残铜率与所述非图形区域的第二残铜率相等。

2.根据权利要求1所述的PCB覆铜方法，其特征在于，所述预设覆铜图形至少包括第一覆铜图形、第二覆铜图形和第三覆铜图形；

所述根据比较结果和对应的预设覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括：

确定所述第一残铜率小于预设范围，根据所述第一覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作；

确定所述第一残铜率在所述预设范围内，根据所述第二覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作；

确定所述第一残铜率大于所述预设范围，根据所述第三覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作。

3.根据权利要求2所述的PCB覆铜方法，其特征在于，所述第一覆铜图形包括多个第一图形，所述第一图形为圆形；

在所述将所述第一残铜率与预设范围进行比较之前，所述PCB覆铜方法还包括：

获取所述非图形区域的初始长度和初始宽度；

所述根据所述第一覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括：

根据所述第一残铜率、所述初始长度和所述初始宽度调节所述第一图形的第一直径，以及相邻两个所述第一图形之间的第一间距；

根据调节后的所述第一覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作。

4.根据权利要求3所述的PCB覆铜方法，其特征在于，所述第二覆铜图形包括多个第二图形，所述第二图形为矩形；

所述根据所述第二覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括：

根据所述第一残铜率、所述初始长度和所述初始宽度调节所述第二图形的边长，以及相邻两个所述第二图形之间的第二间距；

根据调节后的所述第二覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作。

5.根据权利要求4所述的PCB覆铜方法，其特征在于，所述第三覆铜图形包括多个堆叠设置的中间图形；所述中间图形包括多个依次连接的第三图形；所述第三图形包括第一子矩形、第二子矩形和第三子矩形；其中，所述第一子矩形和所述第三子矩形分别垂直设置于所述第二子矩形的两侧，所述第一子矩形的延伸方向与所述第三子矩形的延伸方向相反；

所述根据所述第三覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括：

根据所述第一残铜率、所述初始长度和所述初始宽度调节所述第三子矩形的子长度，以及所述第三子矩形的子宽度和相邻两个所述第三子矩形之间的第三间距；

根据调节后的所述第三覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作。

6.根据权利要求3所述的PCB覆铜方法，其特征在于，所述第一直径和所述第一间距均大于3mil。

7.根据权利要求4所述的PCB覆铜方法，其特征在于，所述边长和所述第二间距均大于3mil。

8.根据权利要求5所述的PCB覆铜方法，其特征在于，所述子长度、所述子宽度和所述第三间距均大于3mil。

9.PCB覆铜系统，其特征在于，所述PCB包括图形区域和非图形区域，所述PCB覆铜系统包括：

数据获取模块，用于获取所述图形区域的第一残铜率；

覆铜模块，用于将所述第一残铜率与预设范围进行比较，根据比较结果和对应的预设覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，以使所述第一残铜率与所述非图形区域的第二残铜率相等。

10.电子设备，其特征在于，包括：

至少一个处理器；

至少一个存储器，用于存储至少一个程序；

当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现如权利要求1至8中任一项所述的PCB覆铜方法。

11.计算机可读存储介质，其中存储有处理器可执行指令，其特征在于，所述处理器可执行的指令在由处理器执行时用于实现如权利要求1至8中任一项所述的PCB覆铜方法。