[发明专利]液晶显示面板及预充电方法、液晶显示装置在审

专利信息
申请号: 202111471885.X 申请日: 2021-12-02
公开(公告)号: CN114236921A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 周满城;卢集晖 申请(专利权)人: 重庆惠科金渝光电科技有限公司;惠科股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36
代理公司: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 代理人: 刘敏
地址: 401320 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板 充电 方法 液晶 显示装置
【说明书】:

本申请公开一种液晶显示面板及预充电方法、液晶显示装置。液晶显示面板包括N条扫描线、M条数据线以及N*M个像素点;N条扫描线中的每条扫描线均与M个像素点连接,M个像素点中的每个像素点还分别与M条数据线中的一条数据线对应连接;M个像素点中的每个像素点还与第一像素点所连接的扫描线和数据线连接,第一像素点为扫描线之前的任意一条扫描线所连接的M个像素点中的任意一个与每个像素点极性相同的像素点;当第一像素点所连接的扫描线输出高电平电压时,每个像素点开始预充电;当扫描线输出高电平电压时,每个像素点开始正常充电。本申请方案能在像素正常充电之前,先对像素进行预充电,使得像素电容电压更饱和,显示画质更贴合实际。

技术领域

本申请涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种液晶显示面板及预充电方法、液晶显示装置。

背景技术

随着液晶面板行业的发展,液晶面板逐渐向更高分辨率、更大尺寸发展。但随着液晶面板的分辨率越来越高,尺寸越来越大,特别是纵向的行数越来越多,分配到液晶显示面板的每一行像素的时间越来越短,即每个像素被分配到的充电时间越来越短。因此,导致现有的液晶显示面板存在着面板中像素充电不足的情况,使得液晶显示面板的显示效果不佳。

申请内容

为解决像素充电不足所导致的显示效果不佳的技术问题,本申请实施例提供一种液晶显示面板及预充电方法、液晶显示装置。

本申请实施例的技术方案是这样实现的:

本申请实施例提供了一种液晶显示面板,所述液晶显示面板包括:

N条扫描线、M条数据线以及N*M个像素点;其中,所述N条扫描线中的每条扫描线均与M个像素点连接,所述M个像素点中的每个像素点还分别与M条数据线中的一条数据线对应连接;所述M个像素点中的每个像素点还与第一像素点所连接的扫描线和数据线连接,所述第一像素点为所述扫描线之前的任意一条扫描线所连接的M个像素点中的任意一个与所述每个像素点极性相同的像素点;其中,N和M分别为大于1的自然数。

上述方案中,所述第一像素点为所述扫描线的上一扫描线所连接的M个像素点中的任意一个与所述每个像素点极性相同的像素点。

上述方案中,所述每个像素点包括第一主动元件、第二主动元件、液晶电容和存储电容,所述第一主动元件的栅极与所述N条扫描线中一条扫描线对应连接,所述第一主动元件的源极和漏极中的任意一个与所述M条数据线中的一条数据线对应连接,所述第一主动元件的源极和漏极中的另外一个还与所述液晶电容的像素电极和所述存储电容的像素电极连接;所述第二主动元件的栅极与所述第一像素点所连接的扫描线连接,所述第二主动元件的源极和漏极中的任意一个还与所述第一像素点所连接的数据线连接,所述第二主动元件的源极和漏极中的的另外一个还与所述液晶电容的像素电极和所述存储电容的像素电极连接。

上述方案中,所述第一主动元件包括薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT)或金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,MOSFET)。

上述方案中,所述第二主动元件包括TFT或MOSFET。

本申请实施例还提供了一种基于上述任意一项液晶显示面板的预充电方法,所述预充电方法包括:当所述第一像素点所连接的扫描线输出高电平电压时,所述每个像素点开始预充电;当所述扫描线输出高电平电压时,所述每个像素点开始正常充电。

上述方案中,当所述第一像素点为所述扫描线的上一扫描线所连接的M个像素点中的任意一个与所述每个像素点极性相同的像素点时,所述预充电方法包括:当所述上一扫描线输出高电平电压时,所述每个像素点开始预充电;当所述扫描线输出高电平电压时,所述每个像素点开始正常充电。

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