[发明专利]一种薄膜制造方法

说明书

本发明公开了一种薄膜制备方法，包括：构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜。通过构建至少一层支撑层和至少一层牺牲层，并通过改变外界条件使得牺牲层失效，使得薄膜和支撑层脱离，得到独立的薄膜，此结构对于薄膜分离、转移具有很好的应用价值，能够为集成电路、芯片制造中难以剥离的薄膜提供了一种简单便捷的薄膜分离方式。可以广泛应用于集成电路、芯片制造以及薄膜产品制造的相关工艺。

技术领域

本发明涉及材料技术领域，特别指一种薄膜制造方法。

背景技术

薄膜在精密加工中具有重要的使用价值，特别是在目前的集成电路、芯片的生产制造中，薄膜由于其特殊的材料性能，例如柔性、光电特性、半导体特性等，得到了广泛的研究和充分利用的市场背景。但是，很多薄膜需要衬底承接，生长在衬底上难以获得独立的薄膜。多余的衬底在很大的程度上影响了薄膜的开发使用，降低了薄膜本有的应用价值。

基于此，如何能够为集成电路、芯片制造中难以剥离的薄膜提供一种简单便捷的薄膜分离方式，并可以广泛应用于集成电路、芯片制造以及薄膜产品制造的相关工艺，成为了业内亟需解决的技术问题。

发明内容

发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种制造方法简单、无多余衬底的薄膜制造方法。

技术方案：一种薄膜制备方法，包括：

构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；

在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；

改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜。

进一步地，薄膜生长方式为ALD、PECVD、磁控溅射、蒸镀、旋涂等薄膜生长方式中的一种。

进一步地，所述牺牲层和所述支撑层之间，还设有功能层，用以实现散热和/或高阻值性能。

进一步地，所述支撑层为半导体、陶瓷或玻璃制成的。

进一步地，所述外界条件改变包括改变潮湿度、酸碱性或温度致使牺牲层失去原有连接性的条件，改变外界条件包括液体浸泡、加热或降温。

进一步地，牺牲层为氧化物或有机粘性物质，改变外界条件包括被腐蚀或者失去粘性物质。

进一步地，通过PECVD、氧化反应或旋涂方式构建所述牺牲层。

进一步地，薄膜生长厚度不小于5 nm，且所述薄膜材料为半导体、陶瓷、聚合物等有机或者无机材料中的一种。

有益效果：本发明通过构建至少一层支撑层和至少一层牺牲层，并通过改变外界条件使得牺牲层失效，使得薄膜和支撑层脱离，得到独立的薄膜，此结构对于薄膜分离、转移具有很好的应用价值，能够为集成电路、芯片制造中难以剥离的薄膜提供了一种简单便捷的薄膜分离方式。可以广泛应用于集成电路、芯片制造以及薄膜产品制造的相关工艺。

附图说明

附图1为本发明薄膜制造方法的一个实施例的衬底结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种薄膜制备方法，包括：

S100:构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；

S200:在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；