[发明专利]一种BJT半导体器件

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种BJT(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管)半导体器件。本申请提供一种BJT半导体器件，所述BJT半导体器件包括半导体基底，所述半导体基底包括：基区，所述基区上形成多晶硅场效应结构；发射区，所述发射极形成于所述多晶硅场效应结构周围的基区中；集电区，所述集电极包围在所述基区外；其中，所述多晶硅场效应结构与所述发射区电性连通。电性连通的所述多晶硅场效应结构与所述发射极，使得位于所述多晶硅场效应结构下方的基区部分形成电位差，所述电位差能够吸引所述基区中的多子杂质，降低所述基区中的寄生电阻。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种BJT(Bipolar JunctionTransistor，双极结型晶体管)半导体器件。

背景技术

图1示出了相关技术中的BJT半导体器件的剖视结构示意图，从图1中可以看出，该BJT半导体器件包括三个区域，分别为发射区110、基区120和集电区130，三个区域引出的三个电极分别叫做发射极e、基极b和集电极c；发射区110与基区120间的PN结称为发射结101，基区120与集电区130间的PN结称为集电结102。

但是由于BJT半导体器件的基区120存在寄生电阻，使得基区电流在发射区110正下方的基区120部分横向流动，而在存在电阻的基区120部分产生压降，进而使得发射区110正下方基区120中各位置的电位不一致，发射结101边缘处的电位较高，发射结101中心电位较低，即发射结101周围边缘处的电流密度大，中心处的电流密度小。在发射区110面积较大的BJT中，电流主要集中在发射区110的周围一圏(如图1虚线框位置所示)，从而降低了BJT器件的电流放大系数。

发明内容

本申请提供了一种电压调整器，可以改善BJT器件发射极电流集边效应。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种BJT半导体器件，所述BJT半导体器件包括半导体基底，所述半导体基底包括：

基区，所述基区上形成多晶硅场效应结构；

发射区，所述发射极形成于所述多晶硅场效应结构周围的基区中；

集电区，所述集电极包围在所述基区外；

其中，所述多晶硅场效应结构与所述发射区电性连通。

可选地，电性连通的所述多晶硅场效应结构与所述发射极，使得位于所述多晶硅场效应结构下方的基区部分形成电位差，所述电位差能够吸引所述基区中的多子杂质，降低所述基区中的寄生电阻。

可选地，所述发射区的侧表面与所述多晶硅场效应结构下方的基区部分接触。

可选地，所述多晶硅场效应结构为封闭环形，位于封闭环形的所述多晶硅场效应结构下方的基区部分形成基区环部；

所述基区环部将所述发射区分隔为第一发射区部和第二发射区部；

所述第一发射区部为封闭环状，包围在所述基区环部外；

所述基区环部包围在所述第二发射区部外。

可选地，所述多晶硅场效应结构为条形；位于条形的所述多晶硅场效应结构下方的基区部分形成基区条部；

所述基区条部将所述发射区分隔为位于所述基区条部两侧的第一发射区部和第二发射区部。

可选地，所述多晶硅场效应结构可为螺旋形、井字形、十字形、田字形等类似结构中的任意一种，位于所述多晶硅场效应结构下方的基区部分的形状与所述多晶硅场效应结构的形状一致。

可选地，所述多晶硅场效应结构包括多个多晶硅场效应结构条；

多个多晶硅场效应结构条在所述基区上平行或交叉排布。