[发明专利]一种包含中空陶瓷粉的低介电常数粘结片及制备方法有效
申请号: | 202111472437.1 | 申请日: | 2021-12-06 |
公开(公告)号: | CN113861865B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 冯贝贝;贾倩倩;王丽婧;冯春明;武聪;金霞;李强;洪颖 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | C09J7/24 | 分类号: | C09J7/24;C09J7/30;C09J147/00;C09J11/04;C08L27/18;C08L23/08;C08L27/12;C08K3/36;C08K9/00;B05D7/04;B05D7/24 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 李美英 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 包含 中空 陶瓷 介电常数 粘结 制备 方法 | ||
1.一种包含中空陶瓷粉的低介电常数粘结片的制备方法,其特征在于:
所述粘结片包括芯层、上表层和下表层,所述芯层厚度为40um~150um;所述上表层和下表层的厚度均为40um~150um;
所述芯层,由以下质量百分比的原料组成:
无机填料:45~85wt.%;
含氟树脂:10~45wt.%;
偶联剂:1~5wt.%;
表面活性剂:0.5~5wt.%;
所述上表层和下表层,由以下质量百分比的原料组成:
中空填料:40~65wt.%;
碳氢树脂:30~55wt.%;
有机过氧化物引发剂:0.1~5wt.%;
步骤如下:
所述芯层制备工艺过程:
步骤1:将表面活性剂与去离子水混合,在20r/min~300r/min转速条件下搅拌5min~30min,然后加入偶联剂,在20r/min~300r/min转速条件下搅拌5min~30min,再加入无机填料,在200r/min~1000r/min转速条件下搅拌20min~60min,在此完成对无机填料的改性,最后加入含氟树脂,在200r/min~800r/min转速条件下搅拌10min~60min,得到混合浆料;
步骤2:将步骤1得到的混合浆料涂覆在可剥离的支撑载体上,通过控制涂覆速度、炉温制得PTFE薄膜,然后通过隧道窑200℃~400℃进行烧结30min~100min得到PTFE芯层薄膜;
步骤3:将得到的PTFE芯层薄膜进行表面活化处理,得到表面活化处理后的PTFE芯层薄膜;
所述上表层和下表层制备工艺过程:
步骤4:将中空填料、碳氢树脂、有机过氧化物引发剂分别加入二甲苯溶剂中,在转速50r/min-500r/min条件下充分搅拌30min-480min得到混合胶液;
步骤5:将步骤4得到的混合胶液通过浸渍烘干工艺在步骤3得到的表面活化处理后的PTFE芯层薄膜上、下表面以0.1m/min~10m/min浸渍,烘道温度为50℃~400℃,最后在50℃~260℃下对其进行固化30min~100min得到粘结片,最终得到包含中空陶瓷粉的低介电常数粘结片,介电常数低于2.20,介电损耗低于0.0021。
2.根据权利要求1所述的一种包含中空陶瓷粉的低介电常数粘结片的制备方法,其特征在于:所述的无机填料为氢氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、钛酸钡、滑石粉、云母、硅微粉或浮石粉中的任意一种或者至少两种的混合物。
3.根据权利要求1所述的一种包含中空陶瓷粉的低介电常数粘结片的制备方法,其特征在于:所述的含氟树脂为聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、乙烯-三氟氯乙烯共聚物、聚三氟氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚氟乙烯中任意一种或几种的混合物。
4.根据权利要求1所述的一种包含中空陶瓷粉的低介电常数粘结片的制备方法,其特征在于:所述的偶联剂为硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、锆酸酯偶联剂中的一种或几种的混合物。
5.根据权利要求1所述的一种包含中空陶瓷粉的低介电常数粘结片的制备方法,其特征在于:所述的中空填料为空心结构的二氧化硅、二氧化钛、钙钛矿型陶瓷粉的单一物质或两种及两种以上的混合物,平均粒径小于20um。
6.根据权利要求1所述的一种包含中空陶瓷粉的低介电常数粘结片的制备方法,其特征在于:所述的碳氢树脂为聚丁二烯、聚异戊二烯、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚苯醚或乙丙橡胶中的一种或几种的混合物。
7.根据权利要求1所述的一种包含中空陶瓷粉的低介电常数粘结片的制备方法,其特征在于:所述有机过氧化物引发剂为氧化苯甲酰、氧化十二酰、过氧化二异丙苯或过氧化苯甲酸叔乙酯任意一种或几种的混合物。
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