[发明专利]一种双向内嵌MOS管的静电浪涌防护集成电路及方法

权利要求书

1.一种双向内嵌MOS管的静电浪涌防护集成电路，其特征在于，所述电路包括：稳压钳位电路、NMOS开关控制电路和主电流泄放电路；

所述稳压钳位电路用于控制所述NMOS开关控制电路中的NMOS管M_n栅极电压，当在第一终端与第二终端发生正向静电放电或浪涌瞬态脉冲时，所述NMOS管M_n上栅极电压等于所述稳压钳位电路中的第一稳压管D₁上的钳位电压，用于启动所述NMOS管M_n，开启后的所述NMOS开关控制电路中的电流推动所述主电流泄放电路中的单元结构，从而形成由第一PNP三极管T_p1和NPN三极管T_n构成的主电流泄放路径；

当在第一终端与第二终端发生负向静电放电或浪涌瞬态脉冲时，所述NMOS管M_n上栅极电压等于所述稳压钳位电路中的第二稳压管D₂上的钳位电压，用于启动所述NMOS管M_n，开启后的所述NMOS开关控制电路中的电流推动所述主电流泄放电路中的单元结构，从而形成由第二PNP三极管T_p2和所述NPN三极管T_n构成的主电流泄放路径；

所述主电流泄放电路包括所述第一PNP三极管T_p1、所述NPN三极管T_n、所述第二PNP三极管T_p2、第二电阻R₂和第三电阻R₃，所述第二电阻R₂的一端和所述第一PNP三极管T_p1的发射极均与所述第一终端相连，所述第二电阻R₂的另一端和所述第一PNP三极管T_p1的基极、所述NPN管T_n的集电极均与所述NMOS管M_n的源极相连，所述第一PNP三极管T_p1的集电极、所述第二PNP三极管T_p2的集电极、所述NPN管T_n的基极均与所述NMOS管M_n的体电极相连，所述第二PNP三极管T_p2的基极、所述NPN管T_n的发射极、所述NMOS管M_n的漏极均与所述第三电阻R₃的一端相连，所述第二PNP三极管T_p2的发射极和所述第三电阻R₃的另一端均与所述第二终端相连，用于增强所述电路的鲁棒性；

所述主电流泄放电路中的所述第一PNP三极管T_p1、所述NPN三极管T_n和第三电阻R₃，用于泄放在所述第一终端与第二终端之间发生正向静电放电或浪涌瞬态脉冲，所述主电流泄放电路中的所述第二PNP三极管T_p2、所述NPN三极管T_n和第二电阻R₂，用于泄放在所述第一终端与第二终端之间发生反向静电放电或浪涌瞬态脉冲，所述主电流泄放电路用于实现所述电路的双向静电浪涌防护功能。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述稳压钳位电路包括：第一稳压管D₁和第二稳压管D₂，所述第一稳压管D₁的阳极与所述第二终端相连，所述第一稳压管D₁的阴极与所述第二稳压管D₂的阴极相连，所述第二稳压管D₂的阳极与所述第一终端相连，用于钳位所述电路的端口电压，避免产生闩锁效应，并用于推动所述电路的内部所述NMOS开关控制电路开启工作。