[发明专利]一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列

权利要求书

1.一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，包括：上层金属面(1)、介质基板(2)、下层金属面(3)以及开环辐射单元组，介质基板(2)设置在上层金属面(1)和下层金属面(3)之间；在上层金属面(1)上设置有金属面开槽(5)；开环辐射单元组通过锥形平行双线(6)分别与上层金属面(1)和下层金属面(3)连接；在毫米波端射宽带圆极化双环阵列上设置有第一金属化过孔(11)和第二金属化过孔(12)；其中，第一金属化过孔(11)贯穿上层金属面(1)、介质基板(2)以及下层金属面(3)；第二金属过孔(12)贯穿介质基板(2)。

2.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，上层金属面开槽(5)包括第一上层金属面开条(51)和第二上层金属面开条(52)，第一上层金属面开条(51)和第二上层金属面开条(52)均包括直线金属面开条和斜线金属面开条，其中直线金属面开条与斜线金属面开条连接。

3.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，将上层金属面(1)、介质基板(2)和下层金属面(3)从右向左依次划分为GCPW结构、GCPW-SIW结构和SIW结构；其中，GCPW结构由上层金属面开槽(5)的直线金属面开条与其对应部分的上层金属面(1)、介质基板(2)、下层金属面(3)以及第一金属化过孔(11)共同组成；GCPW-SIW结构由上层金属面开槽(5)的斜线金属面开条与其对应部分的上层金属面(1)、介质基板(2)、下层金属面(3)以及第一金属化过孔(11)共同组成；SIW结构由未设置上层金属面开槽(5)所对应的上层金属面(1)、介质基板(2)以及下层金属面(3)和该部分对应的第一金属化过孔(11)组成。

4.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，开环辐射单元组包括至少1个开环辐射单元，开环辐射单元由两条偏移金属印刷条(8)、两条开路金属印刷条(9)、两条金属印刷条(10)以及两个第三金属化过孔(13)组成；上偏移金属印刷条(8)与上开路金属印刷条(9)连接，下偏移金属印刷条(8)与下开路金属印刷条(9)连接；一个第三金属化过孔(13)贯穿上金属印刷条(8)与上开路金属印刷条(9)的连接处和下金属印刷条(10)，另一个第三金属化过孔(13)贯穿下金属印刷条(8)与下开路金属印刷条(9)的连接处和上金属印刷条(10)。

5.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，开环辐射单元组的开环辐射单元之间通过相位延迟线(7)串行连接。

6.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，开环辐射单元组以开环辐射单元组中心点为定点，关于y轴旋转对称，旋转角为180度。

7.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，上层金属面(1)和下层金属面(3)为T形。

8.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，第一金属过孔(11)分为上列第一金属过孔和下列第一金属过孔，其中上列左侧的第一金属过孔位于上层金属面(1)和下层金属面(3)的上边沿，上列右侧的第一金属过孔沿着金属面开槽(5)设置；下列第一金属过孔位置与上列第一金属过孔的位置水平对称。

9.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，第二金属过孔(12)排列在锥形平行双线(6)两侧。

10.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列，其特征在于，毫米波端射宽带圆极化双环阵列还包括介质棒(14)，介质棒(14)的形状为圆角锥形或三角锥形；将介质棒(14)设置在介质基板(2)的左侧。