[发明专利]快速瞬态响应的低压差线性稳压器、芯片及电子设备

权利要求书

1.一种快速瞬态响应的低压差线性稳压器，其特征在于，包括调节模块、共源共栅运算放大器OP、功率管MP以及电阻分压模块；

所述调节模块包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第一NMOS管N1以及第二NMOS管N2，所述电阻分压模块包括串联的第一电阻R1和第二电阻R2；

所述第一PMOS管P1的栅极与所述第二PMOS管P2的栅极、第三PMOS管P3的栅极、所述共源共栅运算放大器OP的输出端、所述功率管MP的栅极连接，所述第一PMOS管P1的源极、所述第二PMOS管P2的源极、第三PMOS管P3的源极以及所述功率管MP的源极均连接至电源电压VDD；所述第一NMOS管N1的栅极与所述第二NMOS管N2的栅极和漏极、所述第三PMOS管P3的漏极连接，所述第一PMOS管P1的漏极和所述第二PMOS管P2的漏极分别与所述共源共栅运算放大器OP的第一电流输入端和第二电流输入端连接，所述第一NMOS管N1的漏极与所述共源共栅运算放大器OP的电流输出端连接，所述第一NMOS管N1的源极和所述第二NMOS管N2的源极接地；

所述功率管MP的漏极为所述低压差线性稳压器的输出端，所述电阻分压模块的一端与所述功率管MP的漏极连接，另一端接地，所述共源共栅运算放大器OP的同相输入端连接在所述第一电阻R1和所述第二电阻R2之间，所述共源共栅运算放大器OP的反相输入端输入基准电压VREF。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括第三电阻R3和电容C1，所述第三电阻R3的一端与所述共源共栅运算放大器OP的输出端连接，所述第三电阻R3的另一端与所述电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端与所述功率管MP的漏极连接。

3.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述共源共栅运算放大器OP包括第一电流源、第二电流源、第三NMOS管N3、第四NOMS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5以及尾电流源；

所述第一电流源的输入端和第二电流源的输入端均与电源电压VDD连接，所述第四NMOS管N4的漏极和所述第三NMOS管N3的漏极分别为所述共源共栅运算放大器OP的第一电流输入端和第二电流输入端，并分别与所述第一电流源的输出端和第二电流源的输出端连接，所述第三NMOS管N3的栅极和所述第四NMOS管N4的栅极分别为所述共源共栅运算放大器OP的反相输入端和同相输入端，所述第三NMOS管N3的源极和所述第四NMOS管N4的源极相连接并作为所述共源共栅运算放大器OP的电流输出端，所述共源共栅运算放大器OP的电流输出端通过所述尾电流源接地；

所述第四PMOS管P4的源极和所述第五PMOS管P5的源极分别与所述第一电流源的输出端和第二电流源的输出端连接，所述第四PMOS管P4的栅极和所述第五PMOS管P5的栅极连接并输入第一偏置电压Vpb1，所述第四PMOS管P4的漏极与所述第五NMOS管N5的漏极和栅极、所述第六NMOS管N6的栅极连接，所述第五PMOS管P5的漏极为共源共栅运算放大器OP的输出端，并与所述第六NMOS管N6的漏极连接，所述第五NMOS管N5的源极和所述第六NMOS管N6的源极均接地。

4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一电流源为第六PMOS管P6，所述第二电流源为第七PMOS管P7；

所述第六PMOS管P6的源极和漏极分别为所述第一电流源的输入端和输出端，所述第七PMOS管P7的源极和漏极分别为所述第二电流源的输入端和输出端，所述第六PMOS管P6的栅极和所述第七PMOS管P7的栅极连接并输入第二偏置电压Vpb2。

5.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述尾电流源为第七NMOS管N7，所述第七NMOS管N7的漏极与所述第三NMOS管N3的源极和所述第四NMOS管N4的源极连接，所述第七NMOS管N7的源极接地，所述第七NMOS管N7的栅极输入第三偏置电压Vnb。