[发明专利]一种薄膜片式电阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜片式电阻器，其特征在于，包括基板、金刚石衬底、电阻层、金刚石保护层、外保护层、引出电极和端子焊接层，其中，所述电阻层设置于所述金刚石衬底和所述金刚石保护层之间。

2.如权利要求1所述的薄膜片式电阻器，其特征在于，所述金刚石衬底的厚度为1-50μm，所述金刚石保护层的厚度为1-10μm。

3.如权利要求2所述的薄膜片式电阻器，其特征在于，所述金刚石衬底的厚度为20μm，所述金刚石保护层的厚度为4μm。

4.如权利要求1所述的薄膜片式电阻器，其特征在于，所述基板的材质为纯度99％的氧化铝陶瓷，所述基板的Ra值为0.2-0.4μm。

5.一种薄膜片式电阻器的制备方法，其特征在于，采用CVD沉积技术制备金刚石衬底和/或金刚石保护层，所述CVD沉积技术包括热丝沉积、直流辅助等离子体沉积、直流电弧等离子体喷射沉积、微波等离子体沉积、激光辅助沉积中的至少一种。

6.如权利要求5所述的薄膜片式电阻器的制备方法，其特征在于，采用微波等离子体沉积技术制备金刚石衬底，包括如下(a)-(c)中的至少一种：

(a)采用CH₄/H₂为气源，CH₄和H₂的体积比为CH₄：H₂＝(1-9)：(91-99)；

(b)微波功率为10kW-15kW；

(c)气体压强为10-20kPa。

7.如权利要求6所述的薄膜片式电阻器的制备方法，其特征在于，CH₄和H₂的体积比为CH₄：H₂＝5:95；微波功率为12.5kW；气体压强为15kPa。

8.如权利要求5所述的薄膜片式电阻器的制备方法，其特征在于，采用微波等离子体沉积技术制备金刚石保护层，包括如下(d)-(f)中的至少一种：

(d)采用CH₄/Ar/H₂为气源，CH₄、Ar和H₂的体积比为CH₄：Ar：H₂＝(1.5-3.5)：(25-45)：(52-72)；

(e)微波功率为500W-1000W；

(f)气体压强为1-3kPa。

9.如权利要求8所述的薄膜片式电阻器的制备方法，其特征在于，CH₄、Ar和H₂的体积比为CH₄：Ar：H₂＝2.5:35.5:62；微波功率为750W；气体压强为2kPa。

10.如权利要求5-9任一项所述的薄膜片式电阻器的制备方法，其特征在于，还包括基片预处理工艺，所述基片预处理工艺的步骤为：将基板置于无水乙醇与粒径为0.05-0.15μm金刚石粉末的混合液中超声。