[发明专利]一种变斜率斜坡电压生成器在审
申请号: | 202111473439.2 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114665712A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 过伟;何满杰 | 申请(专利权)人: | 深圳思睿达微电子有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王海栋 |
地址: | 518131 广东省深圳市宝安区新安街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 斜率 斜坡 电压 生成器 | ||
1.一种变斜率斜坡电压生成器,其特征在于,所述电压生成器包括:
斜坡发生器、第一反馈环路和第二反馈环路;其中,
所述斜坡发生器用于产生初始斜坡电压;
所述第一反馈环路用于对所述初始斜坡电压的斜率进行第一调整,以得到第一斜坡电压;
所述第二反馈环路用于对所述第一斜坡电压的斜率进行第二调整,以得到第二斜坡电压。
2.根据权利要求1所述的电压生成器,其特征在于,所述斜坡发生器包括:
电容Ct、开关和第一电流源;其中,
电容Ct与第一电流源串联于地端和电压端之间;
电容Ct与开关并联于地端和电压端之间;
所述开关用于接收脉冲宽度调制信号;其中,当接收脉冲宽度调制信号为高电平时,开关断开;或者,当接收脉冲宽度调制信号为低电平时,开关闭合。
3.根据权利要求1所述的电压生成器,其特征在于,所述第一反馈环路包括:
MOSFET管M1、M2、M3、M4、M9、M12、第二电流源和第三电流源;其中,
M1、M2、M3、M4、M9的源级连接电压端;
M1的栅极连接M2的栅极;
M1的漏极连接M12的漏极;
M12的源级连接第二电流源的一端;
M12的栅极连接电容Ct的一端;
M2、M3、M9的漏极连接第三电流源的一端;
M3的栅极连接M4的栅极;
M4的漏级连接电容Ct的一端;
M1的漏极连接M1的栅极;
M3的漏极连接M3的栅极;
M9的栅极连接M8的栅极;
第二电流源和第三电流源的另一端连接地端。
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