[发明专利]一种中介高Q值微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种中介高Q值微波介质陶瓷，其特征在于：该微波介质陶瓷是由主料及辅料烧结而成，主料的组成表达式为aSrTiO₃-bLaAlO₃，其中，a、b分别代表摩尔比；其中，0.5≤a≤0.6，0.4≤b≤0.5，a+b＝1，辅料为Ga₂O₃，Ga₂O₃相对于主料的质量分数为0.5％～2.5％；

所述中介高Q值微波介质陶瓷的介电常数均保持在40以上，同时品质因数在48000GHz～64000GHz范围内，谐振频率温度系数小于10ppm/℃。

2.权利要求1所述的中介高Q值微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：

(1)制备微波介质陶瓷的主料：按照组成表达式aSrTiO₃-bLaAlO₃中SrTiO₃、LaAlO₃的摩尔比分别进行称量配料，其中，在aSrTiO₃-bLaAlO₃中，a、b分别代表摩尔比，0.5≤a≤0.6，0.4≤b≤0.5，a+b＝1；

(2)制备该中介高Q值微波介质陶瓷：相对于主料的质量，按照质量分数称取辅料Ga₂O₃；将主料和辅料进行混合，然后进行充分球磨，再经过烘干、造粒和过筛，将筛后的混合粉料压制成型，最后排胶、烧结得到该中介高Q值微波介质陶瓷；其中，Ga₂O₃相对于主料的质量分数为0.5％～2.5％。

3.根据权利要求2所述的一种中介高Q值微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的烧结过程是在1520～1640℃下烧结4～6小时。

4.根据权利要求2所述的一种中介高Q值微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的造粒是将烘干后的粉体与聚乙烯醇水溶液混合，然后制成微米级的球形颗粒。

5.根据权利要求2所述的一种中介高Q值微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，过筛后的混合粉料被压制成圆柱体。

6.根据权利要求2所述的一种中介高Q值微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的排胶是在600～700℃下保温2～4小时。

7.根据权利要求2所述的一种中介高Q值微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的烧结是在空气气氛下进行。