[发明专利]一种超低应力耐久性金属反射膜及其制备方法和应用在审
申请号: | 202111476204.9 | 申请日: | 2021-12-06 |
公开(公告)号: | CN114114490A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 徐旭;江传富;鲍晓静;熊涛;王航;何光宗;张天行 | 申请(专利权)人: | 湖北久之洋红外系统股份有限公司 |
主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;G02B1/14;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/12;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/22;C23C14/30 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 许美红;李艳景 |
地址: | 430223 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应力 耐久性 金属 反射 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种超低应力耐久性金属反射膜,其特征在于,依次包括Cr膜层、Al或Ag反射层、介质保护层或增强层和防潮防霉憎水膜层,其中Cr膜层的厚度为10~50nm;当选择Ag反射层时,Cr膜层和Ag反射层之间还包括Cu膜作为过渡粘结层。
2.根据权利要求1所述的金属反射膜,其特征在于,所述Cr膜层镀制过程中的沉积速率为0.1~0.3nm/s。
3.根据权利要求1所述的金属反射膜,其特征在于,所述Al或Ag膜层厚度为120~200nm,所述介质保护层或增强层厚度为120~1000nm,所述防潮防霉憎水膜厚度为3~5nm;所述过渡粘结层厚度为20~50nm。
4.根据权利要求1所述的金属反射膜,其特征在于,按上述方案,所述介质保护层或增强层为Al2O3、SiO2、TiO2、HfO2、Ta2O5、Nb2O5一种或几种材料的组合;所述防潮防霉憎水膜为含氟硅的有机高分子聚合物。
5.一种权利要求1-4任一项所述的超低应力耐久性金属反射膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)对基片首先进行基础清洗,然后进行离子束清洗,完成基片预处理;
2)在经过预处理的基片待镀膜表面采用电子束蒸发离子束辅助制备Cr膜层,然后采用电子束蒸发蒸镀Al反射层;或者在Cr膜层上采用电子束蒸发离子束辅助沉积制备Cu过渡粘结层,然后再采用电子束蒸发蒸镀Ag反射层;
3)在步骤2)所得的Al或Ag反射层上采用电子束蒸发离子束辅助沉积制备介质保护层或增强层,最后电子束蒸发蒸镀一层防潮防霉憎水膜,即可得到超低应力耐久性金属反射膜。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述基片为K9玻璃、微晶、融石英或铜。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所示步骤1)中,基础清洗工艺为:首先用调试好的超声清洗波对零件进行清洗,然后采用脱脂棉球蘸取酒精及乙醚混合液擦拭,最后用哈气法检查零件表面;离子束清洗工艺为:当真空室本底真空达到5×10-4Pa及以下,在室温下,对离子源充入纯度不低于99.99%的氩气,开启离子源对基片表进行离子束清洗。
8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所示步骤2)中,电子束蒸发蒸镀Cr膜时工艺参数为:离子辅助阳极电压为170-180V,阳极电流为2.8-3.2A,电子枪束流为30~50mA,沉积速率为0.1~0.3nm/s;Al膜的沉积速率为0.4-0.6nm/s,电子枪束流为200~300mA;Ag膜的沉积速率大于2nm/s,电子枪束流为200~260mA;Cu膜的离子辅助阳极电压为170~180V,阳极电流为2.8~3.2A,电子枪束流为80~120mA,沉积速率为0.2~0.3nm/s。
9.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所示步骤3)中,介质保护层或增强层的沉积速率在0.1~0.6nm/s,离子辅助阳极电压为160-180V,阳极电流为2.8-3.2A;所述的防潮防霉憎水沉积速率为0.1~0.2nm/s,电子枪束流为3~5mA。
10.一种权利要求1-4任一项所述的超低应力耐久性金属反射膜在卡式镜头或三波段集成一体化光电装备中的应用。
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