[发明专利]透明显示装置在审
申请号: | 202111478717.3 | 申请日: | 2021-12-06 |
公开(公告)号: | CN114639701A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 朴盛熙;金彬;韩准洙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙东喜;原宏宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 显示装置 | ||
1.一种透明显示装置,该透明显示装置包括:
第一修复线,所述第一修复线沿着第一透射区域的第一侧在第一方向上延伸;
第二修复线,所述第二修复线沿着与所述第一透射区域相邻设置的第二透射区域的第二侧在第二方向上延伸;
第三修复线,所述第三修复线沿着所述第一透射区域的面对所述第一侧的第三侧在所述第一方向上延伸;以及
第四修复线,所述第四修复线沿着所述第二透射区域的面对所述第二侧的第四侧在所述第二方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的透明显示装置,该透明显示装置包括:
第一子像素,所述第一子像素被设置为在所述第一方向上彼此相邻,并且所述第一修复线插置于所述第一子像素之间;
第二子像素,所述第二子像素被设置为在所述第二方向上彼此相邻,并且所述第二修复线插置于所述第二子像素之间;
第三子像素,所述第三子像素被设置为在所述第一方向上彼此相邻,并且所述第三修复线插置于所述第三子像素之间;以及
第四子像素,所述第四子像素被设置为在所述第二方向上彼此相邻,并且所述第四修复线插置于所述第四子像素之间。
3.根据权利要求2所述的透明显示装置,该透明显示装置还包括:
阳极电极,所述阳极电极设置在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中的每一个中;以及
阳极连接电极,所述阳极连接电极从所述阳极电极延伸以与所述第一修复线、所述第二修复线、所述第三修复线和所述第四修复线中的任意一条交叠。
4.根据权利要求3所述的透明显示装置,其中,从所述第一子像素的所述阳极电极延伸的所述阳极连接电极与从所述第三子像素的所述阳极电极延伸的所述阳极连接电极设置在所述第一透射区域的设置在所述第一侧和所述第三侧之间的第二侧和第四侧中的至少一个上。
5.根据权利要求3所述的透明显示装置,其中,从所述第二子像素的所述阳极电极延伸的所述阳极连接电极与从所述第四子像素的所述阳极电极延伸的所述阳极连接电极设置在所述第二透射区域的设置在所述第二侧和所述第四侧之间的第一侧和第三侧中的至少一个上。
6.根据权利要求3所述的透明显示装置,其中,所述阳极电极包括第一阳极电极和第二阳极电极,并且所述阳极连接电极包括从所述第一阳极电极延伸的第一阳极连接部分、从所述第二阳极电极延伸的第二阳极连接部分、连接所述第一阳极连接部分和所述第二阳极连接部分的第三阳极连接部分以及被设置为与所述第一修复线、所述第二修复线、所述第三修复线和所述第四修复线中的任意一者交叠的第四阳极连接部分。
7.根据权利要求6所述的透明显示装置,该透明显示装置还包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管设置在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素中的每一个中,所述驱动晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极;以及
晶体管连接电极,所述晶体管连接电极从所述源极或所述漏极延伸并且通过接触孔与所述第三阳极连接部分电连接。
8.根据权利要求3所述的透明显示装置,其中,所述第一修复线、所述第二修复线、所述第三修复线和所述第四修复线中的每一者通过修复接触部分在一端处与一个子像素的所述阳极连接电极电连接,并且在另一端处与另一子像素的所述阳极连接电极电断开,并且至少一个绝缘层插置于所述另一端与所述另一子像素的所述阳极连接电极之间。
9.根据权利要求2所述的透明显示装置,该透明显示装置还包括:
非透射区域,所述非透射区域设置在所述第一透射区域与所述第二透射区域之间;
多条第一信号线,所述多条第一信号线在所述非透射区域中在所述第一方向上延伸;以及
多条第二信号线,所述多条第二信号线在所述非透射区域中在所述第二方向上延伸,
其中,所述第一子像素与所述第三子像素沿着所述第二信号线交替设置,并且所述第二子像素与所述第四子像素沿着所述第一信号线交替设置。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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