[发明专利]一种QCM传感器及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202111479182.1 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114166935A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈向东;于祥;丁星;陈欣鹏;赵璇;余兴林 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学;陈向东 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02;G01N29/44;G01N5/04;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 李梦蝶 |
| 地址： | 610031*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 qcm 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种QCM传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将二硫化钼纳米片、Nafion溶液分别分散于乙醇的水溶液中得到0.04～15mg/ml的二硫化钼溶液和0.04～15wt％的Nafion溶液，再将二者按0.1～1:1的体积比混合后，超声处理30～120分钟，得二硫化钼/Nafion复合分散溶液；
(2)分别在石英晶片的两个表面上形成第一电极和第二电极，得到QCM基片；
(3)取1～10μL二硫化钼/Nafion复合分散溶液涂覆于QCM基片的第一电极或第二电极表面，并置于氮气中干燥后，得QCM传感器。
(4)将所述QCM传感器安装在机械手上来对人体手背或手掌表面附近的湿度进行监测比较，以帮助机械手辨别人体手掌或手背的接近。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述二硫化钼纳米片的片径为5-150nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一电极和第二电极采用真空镀膜法形成。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述真空镀膜法为蒸发镀膜法或溅射镀膜法。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一电极和第二电极为金或银。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中的涂覆方法为滴涂法、旋涂法或喷涂法。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中干燥温度为30～60℃，干燥时间为5～10h。
8.根据权利要求1～7任一项所述的制备方法制备的QCM传感器，其特征在于：包括石英晶片(1)、第一电极(2)、第二电极(3)和二硫化钼/Nafion复合薄膜(4)，所述第二电极(3)和第一电极(2)分别设置于所述石英晶片(1)的上下两个表面，所述二硫化钼/Nafion复合薄膜(4)设置于所述第一电极(2)或第二电极(3)的表面上。
9.根据权利要求8所述的QCM传感器，其特征在于：所述第一电极(2)和第二电极材料(3)为金或银。
10.根据权利要求8或9所述的QCM传感器在机械手上的应用，其特征在于：将所述传感器安装在机械手上来对人体手背或手掌表面附近的湿度进行监测比较，以帮助机械手辨别人体手掌或手背的接近。
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