[发明专利]一种具有双面电极结构的太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202111479468.X | 申请日: | 2021-12-06 |
公开(公告)号: | CN114203834A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 胡磊;刘梦娟;施利君;蒋新 | 申请(专利权)人: | 苏州晶洲装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 陈小龙 |
地址: | 215555 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 双面 电极 结构 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有双面电极结构的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括基底,所述基底的两侧表面分别为N面和P面,所述N面和P面均设置有电极栅线槽,所述电极栅线槽内分别依次层叠设置有种子层、镍层和铜层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述N面中种子层的厚度为0.1~20nm;
所述P面中种子层的厚度为1~20nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述N面中镍层的厚度为0.5~1μm,所述P面中镍层的厚度为0.5~1μm,所述铜层的厚度为5~15μm;
所述N面中种子层的材质包括钯、银、钴、金或钌中的一种或至少两种的组合;
所述P面中种子层的材质包括钯、银、钴、金或钌中的一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述铜层的表面还设置有保护层,所述保护层的厚度为1~2μm;
所述保护层的材质包括银和/或锡。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括TOPCon电池或PERC电池。
6.一种权利要求1-5任一项所述的具有双面电极结构的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
在基底的两侧表面开设电极栅线槽,分别在N面和P面的电极栅线槽内沉积种子层和镍层,所述镍层原位沉积在种子层的表面,调节基底两侧的电流相同,同时在基底两侧的镍层上沉积铜层,制备得到所述具有双面电极结构的太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述N面中种子层的沉积方式包括光诱导化学还原法;
所述P面中种子层的沉积方式包括电诱导化学还原法;
所述镍层的沉积方式包括化学沉积法。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述沉积铜层的方法包括:以镍层为导电电极,调节基底两侧的电流相等,电流为0.5~1.0A,调节后进行电化学沉积铜。
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述铜层的表面还沉积有保护层,所述保护层的沉积方法包括化学沉积或电化学沉积。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述保护层的沉积方法为电化学沉积,所述电化学沉积包括:以铜层为导电电极,调节基底两侧电流相等,电流为2.0~3.0A,在电池两侧同时沉积保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的