[发明专利]片上功耗管理方法、电子设备及存储介质有效
申请号: | 202111479802.1 | 申请日: | 2021-12-07 |
公开(公告)号: | CN113886196B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 陈教彦;鲍敏祺;陈亮 | 申请(专利权)人: | 上海燧原科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/30 | 分类号: | G06F11/30;G06F11/32;G06F1/26 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王瑞云 |
地址: | 201306 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功耗 管理 方法 电子设备 存储 介质 | ||
本发明公开了一种片上功耗管理方法、电子设备及存储介质,包括:获取多个单核在预测窗口内的指令的第一功耗预测信息;单核根据本地的第一功耗预测信息确定第一警告信息;根据多个单核的多个第一功耗预测信息确定第二警告信息和功耗控制信息;若第一警告信息和第二警告信息均为发生警告,则依次在单核中进行功耗控制,根据功耗控制信息与子系统控制器进行资源交互。能够通过预测的方式能够在发生电压异常之前提前进行功耗控制,在异常发生前提前进行功耗控制,有效控制芯片异常。在多核场景中,在单核本地中进行功耗控制的同时,通过子系统控制器与单核本地进行资源交互,资源交互能够更加有效的对单核本地进行功耗控制,提高芯片电源完整性。
技术领域
本发明实施例涉及芯片控制技术,尤其涉及一种片上功耗管理方法、电子设备及存储介质。
背景技术
随着集成电路制程工艺的提高,芯片算力密度随之增加。随着芯片算力密度的提高,芯片的电源完整性的要求越来越高。
目前芯片运行过程中,会出现在短时间内芯片产生较大电流变化。例如在纳秒级别的短时间,发生几百安培的电流变化。这将引起芯片电压发生大幅的电压下降(VoltageOvershoot)。电压下降容易造成芯片工作异常等问题。
如何有效的控制芯片异常,成为亟待解决的问题。
发明内容
本发明提供一种片上功耗管理方法、电子设备及存储介质,以实现有效控制芯片异常,提高芯片电源完整性。
第一方面,本发明实施例提供了一种片上功耗管理方法,包括:
获取多个单核在预测窗口内的指令的第一功耗预测信息;
单核根据本地的第一功耗预测信息确定第一警告信息;
根据多个单核的多个第一功耗预测信息确定第二警告信息和功耗控制信息;
若第一警告信息和第二警告信息均为发生警告,则依次在单核中进行功耗控制,根据功耗控制信息与子系统控制器进行资源交互。
第二方面,本发明实施例还提供了一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,处理器执行程序时实现如本申请实施例所示的的片上功耗管理方法。
第三方面,本发明实施例还提供了一种包含计算机可执行指令的存储介质,计算机可执行指令在由计算机处理器执行时用于执行如本申请实施例所示的片上功耗管理方法。
本发明实施例提供的片上功耗管理方法,获取多个单核在预测窗口内的指令的第一功耗预测信息;单核根据本地的第一功耗预测信息确定第一警告信息;根据多个单核的多个第一功耗预测信息确定第二警告信息和功耗控制信息;若第一警告信息和第二警告信息均为发生警告,则依次在单核中进行功耗控制,根据功耗控制信息与子系统控制器进行资源交互。相对于目前无法及时响应芯片异常,能够通过预测的方式能够在发生电压异常之前提前进行功耗控制,在异常发生前提前进行功耗控制,有效控制芯片异常。尤其是在多核场景中,根据多个单核的第一功耗预测信息确定第二警告信息,第一警告信息和第二警告信息均为发生警告时,在单核本地中进行功耗控制的同时,通过子系统控制器与单核本地进行资源交互,资源交互能够更加有效的对单核本地进行功耗控制,提高芯片电源完整性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的架构示意图;
图2是本发明实施例一中的片上功耗管理方法的流程图;
图3是本发明实施例二中的片上功耗管理方法的流程图;
图4是本发明实施例三中的片上功耗管理方法的流程图;
图5是本发明实施例五中的片上功耗管理装置的结构示意图;
图6是本发明实施例六中的计算机设备的结构示意图。
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