[发明专利]一种晶圆激光隐形切割与机械切割结合的方法在审
| 申请号： | 202111479956.0 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114160958A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李彪;张乐银;向圆;郑文昭;刘文军;娄逸萱 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 隐形 切割 机械 结合 方法 | ||
1.一种晶圆激光隐形切割与机械切割结合的方法，其特征在于：它包括以下步骤1：将晶圆底面贴附UV膜，而后将UV膜固定在绷膜钢环上；
步骤2：将晶圆的底面放置在激光隐形切割设备真空吸盘上；
步骤3：通过激光隐形切割设备在晶圆内部切割出一组腔体，所述腔体互不连通；
步骤4：在完成步骤3完成后，将从激光隐形切割设备里取出晶圆，沿晶圆外圆面将多余的UV膜切割去除；
步骤5：在完成步骤4去除多余UV膜后，在晶圆的上表面上贴附蓝膜，并将蓝膜固定于绷膜钢环上；
步骤6：在完成步骤5贴附蓝膜后，将晶圆放置于UV解胶仪上，降解晶圆底面的UV膜黏度，最终剥离晶圆底面上的所有UV膜；
步骤7：在完成步骤6剥离UV膜后，将晶圆底面放置于机械切割设备真空盘上，并吸附真空；
步骤8：在完成步骤7放置晶圆后，对晶圆的底面上切割有切割槽，所述切割槽与步骤3中的一个腔体连通，切割后再对晶圆底面进行清洗洁净、烘干；
步骤9：在完成步骤8烘干后的晶圆，按照晶圆尺寸沿晶圆外圆面将多余的蓝膜切割去除；
步骤10：在完成步骤9去除多余蓝膜后，在晶圆底面上贴附第二UV膜，而再将其固定在绷膜钢环上；
步骤11：在完成步骤10后，对贴附第二UV膜的晶圆进行阔膜处理，通过阔膜使得晶圆内部相邻的两个腔体之间的间隔的晶圆断裂，进而将晶圆分割而成的各个芯片，从而完成整个圆晶的切割。
2.根据权利要求1中所述的一种晶圆激光隐形切割与机械切割结合的方法，其特征在于：在所述的腔体和切割槽均为网格状分布。
3.根据权利要求1中所述的一种晶圆激光隐形切割与机械切割结合的方法，其特征在于：所述步骤3中的各个腔体的深度小于步骤8中切槽的深度。
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