[发明专利]一种快速的老化仿真分析方法

权利要求书

1.一种快速的老化仿真分析方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，基于MOSFET建立宏模型；

步骤2，建立宏模型的SPICE网表，设置表征MOSFET特征参数受BTI效应和/或HCI效应的时间积累效果的节点参数；

步骤3，通过SPICE仿真得到时序电路随着老化时间推移的特征变化。

2.根据权利要求1所述的快速的老化仿真分析方法，其特征在于，所述步骤2中还包括：设置MOSFET的退化率，所述MOSFET的退化率包括阈值电压、Idsat与Idlin的退化率。

3.根据权利要求1所述的快速的老化仿真分析方法，其特征在于，所述步骤2中还包括：如果无法获取节点参数，则在给定时钟频率下，对包含MOSFET的宏模型各自进行SPICE仿真，调整宏模型中各个受控源的增益，使得仿真M个周期后阈值电压的变化量，与老化N年后阈值电压的参考退化量相等；使得仿真M个周期后沟道电流的变化率，与老化N年后Idsat和/或Idlin的退化率相等，由此确定NMOS与PMOS宏模型中各个受控源的增益系数。

4.根据权利要求1所述的快速的老化仿真分析方法，其特征在于，所述步骤3中还包括：在时序电路的SPICE仿真中，把网表里的MOSFET替换为宏模型，使得时序路径中的各个单元，在实际的栅极偏压和沟道电流的大小和时间积累的影响下，不断调整基于宏模型的阈值电压与沟道电流，从而用工作M个周期后的时序特性，模拟时序电路退化N年后的时序特性。

5.根据权利要求1所述的快速的老化仿真分析方法，其特征在于，所述步骤3中还包括：在所述宏模型中，通过受控源采集MOSFET栅源负偏的大小和时间，将其转换为电流信号对电容充电。

6.根据权利要求1所述的快速的老化仿真分析方法，其特征在于，所述步骤3中还包括：在所述宏模型中，通过受控源采集MOSFET的漏电流，将其转换为电流信号对电容充电。

7.根据权利要求1所述的快速的老化仿真分析方法，其特征在于，所述步骤3中还包括：在所述宏模型中，将充电电容上的电压作为控制源，将受控电压源串联到MOSFET的栅极上。

8.根据权利要求1所述的快速的老化仿真分析方法，其特征在于，所述步骤3中还包括：在所述宏模型中，将充电电容上的电压作为控制源，将受控电流源与MOSFET宏模型的漏源端并联。

9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序运行时执行权利要求1至8任一项所述的快速的老化仿真分析方法步骤。

10.一种快速的老化仿真分析设备，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至8任一项所述的快速的老化仿真分析方法步骤。