[发明专利]应用于射频能量收集系统的双路径RF-DC整流器

权利要求书

1.应用于射频能量收集系统的双路径RF-DC整流器，其特征在于，包括并联布置的基于2阶交叉耦合整流器的低功率路径以及基于2阶全NMOS整流器件的整流器的高功率路径；所述2阶交叉耦合整流器以及2阶全NMOS整流器件的整流器的高功率路径分别接RF+、RF-信号，并分别通过各自的V_CN端接开关信号SW，以及通过各自的V_Out端接到电路的输出端；所述2阶交叉耦合整流器包括晶体管M_B1、晶体管M_B2、晶体管M_B3、晶体管M_B4、晶体管M_B5、晶体管M_B6、晶体管M_N1、晶体管M_P1、晶体管M_N2、晶体管M_P2、电容C₁、电容C₂、电容C₃、电容C₄；

晶体管M_B1与晶体管M_B2的源极相接后接V_IN，晶体管M_N1与晶体管M_N2的漏极相接后接V_1N，晶体管M_B1的栅极与其漏极相接后与晶体管M_N1的栅极相接，晶体管M_B2的栅极与其漏极相接后与晶体管M_B2的栅极相接，晶体管M_N1的栅极接电容C₃的一端，晶体管N_N2的栅极接电容C₁的一端，晶体管M_N1的源极接电容C₂的一端，电容C₁及电容C₂的另一端接RF+，晶体管M_N2的源极接电容C₄的一端，电容C_S及电容C₄的的另一端接RF-；

晶体管M_B3、晶体管M_B4的栅极相接后接晶体管M_P1的栅极及晶体管M_B8的漏极，晶体管M_B2的漏极接晶体管M_B4的漏极，晶体管M_B4的源极接晶体管M_P1的漏极，晶体管M_P1的源极接晶体管M_N1的源极以及晶体管M_P2的栅极；

晶体管M_B3、晶体管M_B6的栅极相接后接晶体管M_P2的栅极及晶体管M_B5的漏极，晶体管M_B8的漏极接晶体管M_B6的漏极，晶体管M_B6的漏极接晶体管M_P2的漏极，晶体管M_P2的源极接晶体管M_N2的源极及晶体管M_P1的栅极；

晶体管M_B4及晶体管M_B4的源极相接后经电容C_L后接V_Out，电容C_L的另一端接地；所述基于2阶全NMOS整流器件的整流器包括：

晶体管M_C1、晶体管M_C2、晶体管M_C3、晶体管M_C4、晶体管M₁、晶体管M₂、晶体管M₃、晶体管M₄、电容C₅、电容C₆、电容C₇、电容C₈；

晶体管M_C1与晶体管M_C2的源极相接后接V_1M，晶体管M₁与晶体管M₂的漏极相接后接V_0N，晶体管M_C1的栅极与其漏极相接后与晶体管M₁的栅极相接，晶体管M_C2的栅极与其漏极相接后与晶体管M₂的栅极相接，晶体管M₁的栅极接电容C₇的一端，晶体管M₂的栅极接电容C₅的一端，晶体管M₁的源极接电容C₆的一端，电容C_B及电容C₆的另一端接RF+，晶体管M₂的源极接电容C₈的一端，电容C₇及电容C₈的另一端接RF-；

晶体管M_C8的源极接地，其栅极与漏极相接后与晶体管M₃的栅极及晶体管M₁的源极相接，晶体管M₈的栅极与其漏极相接，晶体管M₃的源极与晶体管M₄的源极相接后经电容C₅后接V_Out电容C_L的另一端接地；

晶体管M_C4的源极接地，其栅极与漏极相接后与晶体管M₄的栅极及晶体管M₂的源极相接，晶体管M₄的栅极与其漏极相接；

还包括辅助路径，该辅助路径包括：

RVG单元、NVG单元以及CMP单元，所述RVG单元产生参考电压V_REF，所述NVG单元产生负电压V_S3，且RVG单元、NVG单元分别与RF+，RF-相接；

CMP单元的正相输入端接2阶交叉耦合整流器及2阶全NMOS整流器件的整流器的V_Out端，负相输入端接参考电压信号V_REF，同时还接负电压V_8S，输出端输出开关信号SW。

2.根据权利要求1所述应用于射频能量收集系统的双路径RF-DC整流器，其特征在于，所述2阶交叉耦合整流器的V_1N接开关管S₁的漏极，开关管S₁的源极接地，栅极接开关信号SW；所述基于2阶全NMOS整流器件的整流器的V_IN接开关管S₂的漏极，开关管S₂的源极接地，栅极接开关信号SW。