[发明专利]一种InP衬底清洗方法在审
申请号: | 202111481499.9 | 申请日: | 2021-12-06 |
公开(公告)号: | CN114335239A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 万远涛;石峰;杨鲁勇 | 申请(专利权)人: | 浙江光特科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02;B08B3/08 |
代理公司: | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 | 代理人: | 何薇 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 inp 衬底 清洗 方法 | ||
1.一种InP衬底清洗方法,其特征在于,包括:
将InP衬底置于碱性溶剂中浸泡0.5-10分钟;
用去离子水冲洗;
烘干。
2.根据权利要求1所述的InP衬底清洗方法,其特征在于,在烘干前,将InP衬底用有机溶剂清洗,而后,再用去离子水冲洗。
3.根据权利要求2所述的InP衬底清洗方法,其特征在于,所述有机溶剂为丙酮或酒精;用丙酮浸泡4-6分钟;或者,用酒精浸泡2-4分钟。
4.根据权利要求1所述的InP衬底清洗方法,其特征在于,在InP衬底置于碱性溶剂中浸泡时进行晃动或采用超声振动的方式进行清洗。
5.根据权利要求1所述的InP衬底清洗方法,其特征在于,所述碱性溶剂为显影液、去胶液或氨水与水的混合液、脂肪酸钠水溶液,其中,氨水与水的体积比为1:1-50;脂肪酸钠与水的体积比为1:50-100。
6.根据权利要求5所述的InP衬底清洗方法,其特征在于,所述氨水与水的体积比为1:1;或,所述氨水与水的体积比为1:5;或,所述氨水与水的体积比为1:10;或,所述氨水与水的体积比为1:50。
7.根据权利要求5所述的InP衬底清洗方法,其特征在于,所述脂肪酸钠与水的体积比为1:50;或,所述脂肪酸钠与水的体积比为1:100。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的