[发明专利]像素电极结构及液晶显示面板

说明书

本发明提供一种像素电极结构及液晶显示面板，本发明中的弓形像素电极可以转动和水平移动，使得像素电极倾斜角度可根据产品规格进行像素角度调整，以此来改变驱动液晶分子转动的电场方向，以及液晶分子转动时受力的力矩，加快液晶分子转动的速度，进而影响液晶显示面板的响应时间，同时弓字形的像素电极结构可以降低竖直像素电极比例和电场紊乱区域，进而降低液晶暗区，提升背光穿透率；还有当像素电极角度大于＞15°，可增加相邻弓形电的相对距离，对制程精度要求较小，可以兼容低精度的曝光制程，可降低制程曝光显影交联的风险，提升像素的显示品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素电极结构及液晶显示面板。

背景技术

伴随5G通信技术的发展，VR(Virtual Reality，虚拟现实)技术得到广泛应用，在教育、艺术、医疗、娱乐等领域都有相应的产品出现，影响着各行各业的发展。VR产品作为一种高科技产品，其所采用的显示面板相对于手机具有更高的像素密度，通常为1000PPI，这意味着VR显示面板中像素单元尺寸更小，故无法采用手机显示面板中的像素电极(pixelITO)设计方式；响应时间与穿透率：响应时间与像素电极的倾斜角度正相关，随着像素电极倾斜角度的增加，响应时间逐步降低，液晶分子转动加快。穿透率随着像素电极倾斜角度的增大，穿透率呈现先上升再下降的趋势。因此，一般情况下，像素电极倾斜角度会选取在5°～35°之间(可依据产品规格进行选择)，然而现有设计中存在像素电极倾斜角度不可调的问题；另外，当像素电极倾斜角度＞15°时，会存在像素电极无法曝开的问题。现有像素电极设计在像素电极交联位置会出现较大暗区，该暗区是因为电场方向与液晶分子极性方向平行所致。如下面仿真效果图所示，在像素左侧出现暗区。

综上，需要提出一种新的像素电极结构及液晶显示面板，已解决上述技术问题中的像素电极ITO倾角不可调问题，当像素电极ITO倾角＞15°时就会存在像素电极(pixelITO)无法曝开的问题。

发明内容

本申请依据现有技术问题，提供一种像素电极结构及液晶显示面板，能够解决现有技术问题中的像素电极ITO倾角不可调问题，当像素电极ITO倾角＞15°时就会存在像素电极(pixel ITO)无法曝开的问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种像素电极结构，该像素电极结构包括交替设置的第一电极和第二电极，其中，所述第二电极的相对的两侧均与所述第一电极有部分重叠，所述第一电极为直线形，所述第二电极为弓字形。

根据本发明一优选实施例，弓字形的所述第二电极包括依次首尾连接的连接部、第一竖直部、第一凹部、第二竖直部、第二凹部、第三竖直部和倾斜部。

根据本发明一优选实施例，所述第一凹部和所述第二凹部的底部均与一条所述第一电极有部分重叠；其中，所述第一竖直部、所述第二竖直部和所述第三竖直部均与相对另一条所述第一电极有部分重叠。

根据本发明一优选实施例，所述第一凹部和所述第二凹部结构相同，所述第一凹部和所述第二凹部结构均为U型结构和V型结构。

根据本发明一优选实施例，所述第一凹部和所述第二凹部的侧面倾斜角为5°至35°，且其中一个所述第二电极的所述第一凹部的底角与相邻的另一个所述第二电极的所述第一凹部的顶角之间的距离为相邻的像素电极的间距。

根据本发明一优选实施例，所述第二电极的整体线宽相同，且所述第二电极的线宽小于所述第一电极的线宽；其中，所述第一电极的线宽为6um至25um。

根据本发明一优选实施例，所述第一电极和所述第二电极为同层设置，相邻的所述第一电极和所述第二电极在重叠位置上电性连接；其中，所述第一电极和/或所述第二电极与一个薄膜晶体管的漏极电性连接。