[发明专利]一种Ku频段功率合成模块及其装配方法在审
申请号: | 202111482827.7 | 申请日: | 2021-12-07 |
公开(公告)号: | CN114171877A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 户国梁;周峰;李胜寅;苗宇 | 申请(专利权)人: | 南京长峰航天电子科技有限公司 |
主分类号: | H01P5/16 | 分类号: | H01P5/16;H01P11/00 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 邵斌 |
地址: | 210061 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ku 频段 功率 合成 模块 及其 装配 方法 | ||
1.一种Ku频段功率合成模块,其特征在于,包括第一90度电桥、第二90度电桥、第一固态功放芯片、第二固态功放芯片、第一负载、第二负载和隔离器;
所述第一90度电桥的隔离端与第一负载电连接,所述第一90度电桥的直通端与第一固态功放芯片的输入端电连接,所述第一90度电桥的耦合端与第二固态功放芯片的输入端电连接;
所述第二90度电桥的直通端与第一固态功放芯片的输出端电连接,所述第二90度电桥的耦合端与第二固态功放芯片的输出端电连接;所述第二90度电桥的隔离端与第二负载电连接,所述第二90度电桥的输入端与隔离器的输入端电连接。
2.根据权利要求1所述的Ku频段功率合成模块,其特征在于,所述第一固态功放芯片、第二固态功放芯片采用氮化镓放大器,型号为:WFDN100180-P44。
3.根据权利要求1所述的Ku频段功率合成模块,其特征在于,所述第一90度电桥、第二90度电桥的型号为DQ120180。
4.根据权利要求1所述的Ku频段功率合成模块,其特征在于,所述第一90度电桥、第二90度电桥、第一固态功放芯片、第二固态功放芯片、第二负载分别与载体焊接连接,所述载体与壳体焊接连接。
5.根据权利要求1所述的Ku频段功率合成模块,其特征在于,所述第一固态功放芯片、第二固态功放芯片的栅极和漏极分别通过导电体对应连接后,连接至供电端,并通过馈电绝缘子将供电端引到壳体底部。
6.根据权利要求5所述的Ku频段功率合成模块,其特征在于,所述导电体为金丝。
7.根据权利要求1所述的Ku频段功率合成模块,其特征在于,所述隔离器通过螺钉安装在壳体上,在隔离器与壳体之间垫有铟片。
8.一种Ku频段功率合成模块的装配方法,其特征在于,包括:
对壳体进行预处理;
将附件安装在壳体上;
将第一90度电桥、第二90度电桥、第一固态功放芯片、第二固态功放芯片、第二负载分别焊接在Mo70Cu30载体上,焊接时采用Au80Sn20金锡焊料;
将包含第一90度电桥、第二90度电桥、第一固态功放芯片、第二固态功放芯片、第二负载的Mo70Cu30载体,通过手工摩擦焊焊接在壳体上,焊接时采用Sn62Pb36Ag2焊锡膏;
将隔离器采用螺钉固定在壳体上,装配时在隔离器与壳体接触面垫一层铟片;
采用超声波金丝引线键合机完成功率合成组件内部的金丝键合。
9.根据权利要求8所述的Ku频段功率合成模块的装配方法,其特征在于,所述附件包括印制电路板、50欧姆微带线、射频绝缘子和馈电绝缘子。
10.根据权利要求8所述的Ku频段功率合成模块的装配方法,其特征在于,所述铟片的厚度为0.1mm。
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