[发明专利]高磁导率软磁合金和制造高磁导率软磁合金的方法

权利要求书

1.制造软磁合金的方法，所述方法包括：

提供预制品，其组成由以下组成

余量为铁，其中0.1重量％≤Cr+Si+Al+Mn≤1.5重量％和最多达0.2重量％的其他杂质，

对所述预制品进行最终退火，最终退火包括：

在温度T₁热处理所述预制品，然后从T₁冷却至室温，

其中所述预制品具有从BCC相区向BCC/FCC混合区至FCC相区的相变，其中随着温度升高，在BCC相区与BCC/FCC混合区之间的相变发生在第一转变温度而随着温度进一步升高，在BCC/FCC混合区与FCC相区之间的相变发生在第二转变温度其中T₁高于且温度T₂低于

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在样品质量为50mg且DSC加热速率为10K/分钟时，所述转变温度高于900℃，优选高于920℃，优选高于940℃。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，900℃≤T₁T_m，优选930℃≤T₁T_m，优选940℃≤T₁T_m，优选960℃≤T₁T_m，和700℃≤T₂≤1050℃，其中T₂T₁，其中T_m为固相线温度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，差值小于45K，优选小于25K。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，从T₁至室温的冷却速率在至少从T₁至T₂的温度范围上为10℃/h至50,000℃/h，优选10℃/h至900℃/h，优选25℃/h至500℃/h。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，所述预制品以10℃/h至50,000℃/h、优选10℃/h至900℃/h、优选25℃/h至500℃/h的速率从T₁冷却至室温。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述预制品在高于热处理超过30分钟的时间，然后冷却至T₂。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，所述预制品在T₁热处理时间t₁，其中15分钟≤t₁≤20小时，然后从T₁冷却至T₂。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，在所述热处理后，所述软磁合金的最大磁导率μ_max≥5000，和/或电阻率ρ≥0.25μΩm，在1.5T的振幅的磁滞损耗P_Hys≤0.07J/kg，和/或矫顽场强H_c≤0.7A/cm和/或在100A/cm时的感应B≥1.90T。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述热处理后，所述软磁合金的最大磁导率μ_max≥10,000，和/或电阻率ρ≥0.25μΩm，和/或在1.5T的振幅的磁滞损耗P_Hys≤0.06J/kg，和/或矫顽场强H_c≤0.6A/cm和在100A/cm时的感应B≥1.95T。