[发明专利]一种限域型氢气传感器制备方法有效
| 申请号： | 202111484534.2 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114166902B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 胡庆敏;徐甲强;张景韬 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 上海海贝律师事务所 31301 | 代理人： | 范海燕 |
| 地址： | 200436*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 限域型 氢气 传感器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种限域型氢气传感器制备方法，其特征在于包括NiSnNCs气敏材料合成，所述NiSnNCs气敏材料合成包括以下步骤：
S1：在CNC上沉积20-1000个循环的ALD SnO2膜；
S2：沉积40个循环的NiO，制备SnO2外表面限域NiO样品，记为Ni-out-SnNCs；
S3：在CNC上沉积1-500个循环的NiO；
S4：沉积SnO2，制备SnO2纳米管内表面限域NiO样品，记为Ni-in-SnNCs；
S5：在CNC上沉积NiO，然后沉积ALD-SnO2，再沉积NiO即可得到SnO2内外表面同时限域NiO记为Ni-out and in-SnNCs；
S6：将所述Ni-out-SnNCs、Ni-in-SnNCs和Ni-out and in-SnNCs样品在400-1200℃下用空气煅烧3小时后形成模板；
S7：去除S6所述模板，即可获得气敏材料O-NiSnNCs、I-NiSnNCs和C-NiSnNCs。
S8：材料分散后涂覆到MEMS传感器上，干燥后原位老化12小时，制得限域型传感器。
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