[发明专利]对准标记的制作方法及半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种对准标记的制作方法，其特征在于，包括：

提供相键合的上层晶圆和下层晶圆，所述上层晶圆靠近所述下层晶圆的一面和/或所述下层晶圆靠近所述上层晶圆的一面形成有第一光刻标识图形；

形成第二光刻标识图形于所述上层晶圆的远离所述下层晶圆的一面；

采用一量测机台识别所述第一光刻标识图形，以获得所述第二光刻标识图形和所述第一光刻标识图形之间的第一对准偏差；以及，

执行光刻和刻蚀工艺，以形成第三光刻标识图形于所述上层晶圆的远离所述下层晶圆的一面；其中，以所述第二光刻标识图形进行所述光刻工艺的对准，且将所述第一对准偏差补偿至所述光刻工艺中。

2.如权利要求1所述的对准标记的制作方法，其特征在于，获得所述第二光刻标识图形和所述第一光刻标识图形之间的所述第一对准偏差的步骤包括：

采用所述量测机台识别所述第一光刻标识图形和所述第二光刻标识图形；

采用所述量测机台量测所述第一光刻标识图形和所述第二光刻标识图形之间的偏差，以作为所述第一对准偏差。

3.如权利要求1所述的对准标记的制作方法，其特征在于，所述第三光刻标识图形与所述第一光刻标识图形之间的第二对准偏差在设定规格内，所述设定规格大于或等于1μm，所述上层晶圆靠近所述下层晶圆的一面和/或所述下层晶圆靠近所述上层晶圆的一面还形成有刻度图形，所述第一光刻标识图形、所述第二光刻标识图形和所述第三光刻标识图形位于所述刻度图形的范围内；获得所述第二光刻标识图形和所述第一光刻标识图形之间的所述第一对准偏差的步骤包括：

采用所述量测机台识别所述第一光刻标识图形、所述第二光刻标识图形和所述刻度图形；

分别读取所述第一光刻标识图形和所述第二光刻标识图形在所述刻度图形上的第一坐标和第二坐标，并根据所述第一坐标和所述第二坐标计算获得所述第一对准偏差。

4.如权利要求3所述的对准标记的制作方法，其特征在于，形成所述第三光刻标识图形于所述上层晶圆的远离所述下层晶圆的一面之后，所述对准标记的制作方法还包括：

采用所述量测机台识别所述第一光刻标识图形、所述第三光刻标识图形和所述刻度图形；

读取所述第一光刻标识图形和所述第三光刻标识图形在所述刻度图形上的第一坐标和第三坐标，并根据所述第一坐标和所述第三坐标计算获得所述第二对准偏差。

5.如权利要求2～4中任一项所述的对准标记的制作方法，其特征在于，所述第一光刻标识图形、所述第二光刻标识图形和所述第三光刻标识图形为中心对称图形。

6.如权利要求1所述的对准标记的制作方法，其特征在于，所述第一光刻标识图形包括偏差已知的第一对准标识和第一量测标识，所述第二光刻标识图形包括偏差已知的第二对准标识和第二量测标识，所述第三光刻标识图形包括偏差已知的第三对准标识和第三量测标识。

7.如权利要求6所述的对准标记的制作方法，其特征在于，获得所述第二光刻标识图形和所述第一光刻标识图形之间的所述第一对准偏差的步骤包括：

采用所述量测机台识别所述第一量测标识和所述第二量测标识；

采用所述量测机台量测所述第一量测标识和所述第二量测标识之间的偏差，并对所述第一量测标识和所述第二量测标识之间的偏差、所述第一对准标识和所述第一量测标识之间的偏差以及所述第二对准标识和所述第二量测标识之间的偏差进行求和计算，以获得所述第一对准偏差。

8.如权利要求3所述的对准标记的制作方法，其特征在于，所述第一光刻标识图形包括偏差已知的第一对准标识和第一量测标识，所述第二光刻标识图形包括偏差已知的第二对准标识和第二量测标识，所述第三光刻标识图形包括偏差已知的第三对准标识和第三量测标识；获得所述第二光刻标识图形和所述第一光刻标识图形之间的所述第一对准偏差的步骤包括：

采用所述量测机台识别所述第一量测标识、所述第二量测标识和所述刻度图形；

分别读取所述第一量测标识和所述第二量测标识在所述刻度图形上的第一坐标和第二坐标，并根据所述第一坐标和所述第二坐标计算获得所述第一对准偏差。