[发明专利]分离的三维处理器在审
| 申请号： | 202111484969.7 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113918506A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F15/78 | 分类号： | G06F15/78;H01L25/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离 三维 处理器 | ||
1.一种分离的三维处理器(100)，其特征在于含有：
多个储算单元(100aa-100mn)，每个所述储算单元(100ij)含有至少一三维存储（3D-M）阵列(170)和一处理电路(180)，所述三维存储（3D-M）阵列(170)存储数据，所述处理电路(180)对至少部分所述数据进行处理；
面对面堆叠的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)，所述第一芯片(100a)含有所述3D-M阵列(170)，所述第二芯片(100b)含有至少部分所述处理电路(180)以及所述3D-M阵列(170)的至少一片外周边电路组件(190)；所述第一芯片(100a)不含有所述片外周边电路组件(190)；所述第一芯片(100a)与所述第二芯片(100b)是两个不同芯片、且通过多个芯片间连接(160)电耦合。
2.一种分离的三维处理器(100)，其特征在于含有：
多个储算单元(100aa-100mn)，每个所述储算单元(100ij)含有至少一三维存储（3D-M）阵列(170)和一处理电路(180)，所述三维存储（3D-M）阵列(170)存储数据，所述处理电路(180)对至少部分所述数据进行处理；
面对面堆叠的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)，所述第一芯片(100a)含有所述3D-M阵列(170)，所述第二芯片(100b)含有至少部分所述处理电路(180)以及所述3D-M阵列(170)的至少一片外周边电路组件(190)；所述第一芯片(100a)不含有所述片外周边电路组件(190)；所述第一芯片(100a)与所述第二芯片(100b)是两个面积相同的不同芯片、且通过多个芯片间连接(160)电耦合。
3.一种分离的三维处理器(100)，其特征在于含有：
多个储算单元(100aa-100mn)，每个所述储算单元(100ij)含有至少一三维存储（3D-M）阵列(170)和一处理电路(180)，所述三维存储（3D-M）阵列(170)存储数据，所述处理电路(180)对至少部分所述数据进行处理；
面对面堆叠的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)，所述第一芯片(100a)含有所述3D-M阵列(170)，所述第二芯片(100b)含有至少部分所述处理电路(180)以及所述3D-M阵列(170)的至少一片外周边电路组件(190)；所述第一芯片(100a)不含有所述片外周边电路组件(190)；所述第一芯片(100a)与所述第二芯片(100b)是两个面对面键合的不同芯片、且通过多个芯片间连接(160)电耦合。
4.一种分离的三维处理器(100)，所述分离的三维处理器(100)用于计算至少一非算术函数或一非算术模型，其特征在于含有：
多个计算单元(100aa-100mn)，每个所述计算单元(100ij)含有至少一三维存储（3D-M）阵列(170)和一算术逻辑电路（ALC）(180)，所述3D-M阵列(170)存储所述非算术函数或所述非算术模型的至少部分查找表（LUT），所述ALC (180)对所述LUT中的至少部分数据进行算术运算；
面对面堆叠的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)，所述第一芯片(100a)含有所述3D-M阵列(170)，所述第二芯片(100b)含有至少部分所述ALC (180)以及所述3D-M阵列(170)的至少一片外周边电路组件(190)；所述第一芯片(100a)不含有所述片外周边电路组件(190)；所述第一芯片(100a)与所述第二芯片(100b)是两个不同芯片且通过多个芯片间连接(160)电耦合；
所述非算术函数或所述非算术模型包含的运算多于所述ALC (180)支持的算术运算。
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