[发明专利]一种直拉单晶硅烧结炉

说明书

本发明涉及硅材料加工技术领域，且公开了一种直拉单晶硅烧结炉，包括主炉室，所述主炉室的顶端连接有副炉室，所述主炉室的内部顶端固定连接有导流框，所述导流框的中部等角度开设有气流孔。通过导流框的内侧设置有固定板，使氩气气流通过导流框的内侧流过时，被导流框内侧的固定板进行分流，一部分氩气流向直接到达坩埚的顶端，另一部分通过环形板的顶端进入主炉室和支撑板之间再通过支撑板和连接板之间，最后通过连接板和加热器之间，利用支撑板和加热器之间的温度梯度进行氩气气流的加热，直到气流流到承接盒的顶端侧，使坩埚顶端外侧的硅受到氩气气流作用始终处于熔化状态，且使坩埚顶端内侧壁不会有硅的结晶，提高坩埚的使用寿命。

技术领域

本发明涉及硅材料加工技术领域，具体为一种直拉单晶硅烧结炉。

背景技术

直拉单晶硅烧结炉的总体由炉体、电气部分、热系统、水冷系统、真空系统和氩气供给装置六部分组成，主炉室内为热场由加热器、保温系统、支持机构、托杆、托碗等组成，保温结构用于构成下热上冷的温度梯度，加热器是由高纯石墨制成，副炉室由提升机构等其他结构组成，且直拉法制备单晶硅的原理为将多晶硅通过热场加热，融化成熔融状态，通过控制热场将液面温度控制在结晶的临界点，副炉室的提升机构连接的单晶籽晶从液面向上提拉进行引晶，引晶结束，进行放肩，使晶体慢慢放大至目标直径，放肩过渡到等径的过程为转肩工艺，最后生长完成后，冷却至室温，全程环境为真空的氩气保护，氩气通过副炉室顶端通入，主炉室下端通出。

严重的硅跳会烧坏单晶炉底，传统一般在炉底都有碳毡，做保护，但是很多漏硅是顺着坩埚支撑托碗流下的，先开始会在底部流到金属波纹管，出现星点的烧损，就是硅料已经碰到金属波纹管，这时是最危险的，只能停炉，使锅内硅料报废；晶体在放肩工序时，可能坩埚边产生结晶，若不及时处理，结晶会逐渐长大，严重影响单晶的生长，提高了废料产生的机率，增加了成本。

发明内容

针对背景技术中提出的现有硅烧结炉在使用过程中存在的不足，本发明提供了一种直拉单晶硅烧结炉，具备更安全、成本低的优点，解决了上述背景技术中提出的技术问题。

本发明提供如下技术方案：一种直拉单晶硅烧结炉，包括主炉室，所述主炉室的顶端连接有副炉室，所述主炉室的内部顶端固定连接有导流框，所述导流框的中部等角度开设有气流孔，所述导流框的内侧固定连接有位于气流孔下方的固定板，所述导流框的外侧固定连接有与固定板同周向的环形板，所述环形板的底端外侧固定连接有支撑板，所述主炉室的内部底端固定连接有位于支撑板下方的连接板，所述连接板的顶端固定连接有加热器，所述的底端中部活动连接有坩埚，所述坩埚的底端固定连接有升降结构，所述坩埚的顶端外侧周向等角度开设有滑槽，所述坩埚通过滑槽滑动连接有承接盒，所述承接盒的底端周向开设有位于滑槽下方的固定孔，所述固定孔的内部一侧固定连接有弹簧，所述弹簧的另一端固定连接有活动杆，所述加热器的内部周向固定连接有支架，且加热器通过支架固定连接有位于活动杆下方的抵位板，所述坩埚的外侧面固定连接有位于两个滑槽之间的突杆组。

优选的，所述固定板位于气流孔的下方呈圆弧形，且固定板的外侧与导流框的底端内侧位于同一竖直线上。

优选的，所述连接板的截面形状呈弧形，所述连接板连接有主炉室内侧和加热器的底端之间，使气流有流通的方向。

优选的，所述承接盒整体形状呈圆环型，所述承接盒位于滑槽外侧部分的底端为朝向坩埚的内部方向的斜坡型，承接盒位于非滑槽外侧部分的底端为水平。

优选的，所述活动杆靠近承接盒侧的面为斜面，所述抵位板的顶端面呈斜面，且活动杆的斜面和抵位板的斜面平行，所述抵位板相对活动杆上活动杆的方向移动，活动杆会伸出固定孔的内部朝向坩埚的内部方向。

本发明具备以下有益效果：