[发明专利]光电探测器及其制备方法、射线探测装置

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一面形成有第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型不同；

抗反射膜层，形成在所述第一面上，所述抗反射膜层的与所述第一掺杂区相对的至少部分区域形成光敏区；

介质层，形成在所述抗反射膜层的远离所述半导体衬底的一侧；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均形成在所述介质层的远离所述抗反射膜层的一侧；

第一导电通道和第二导电通道，所述第一导电通道和所述第二导电通道均贯穿所述介质层，以使得所述第一电极通过所述第一导电通道电连接所述第一掺杂区，以及使得所述第二电极通过所述第二导电通道电连接所述第二掺杂区；

钝化层，所述介质层的远离所述抗反射膜层的表面上形成有所述钝化层，且所述钝化层形成有镂空区，所述镂空区贯通至所述光敏区，以使得所述光敏区露出。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括：刻蚀阻止层；

所述第一电极和所述第二电极的边缘区域被所述刻蚀阻止层覆盖，所述刻蚀阻止层的远离所述第一电极和所述第二电极的一侧形成有所述钝化层。

3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述刻蚀阻止层和所述抗反射膜层包含相同的元素。

4.根据权利要求2或3所述的光电探测器，其特征在于，所述刻蚀阻止层包含氮化钛；

所述抗反射膜层包含氮化硅。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述刻蚀阻止层为导电层，且所述第一电极和所述第二电极的远离所述介质层的表面均被所述刻蚀阻止层覆盖。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的侧壁均被所述钝化层覆盖。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述第二掺杂区呈环形结构环绕在所述第一掺杂区的外围。

8.根据权利要求7所述的光电探测器，其特征在于，

所述第一电极具有多个，且多个所述第一电极沿着所述第二掺杂区的环形方向间隔布设；

所述第二电极具有多个，且多个所述第二电极沿着所述第二掺杂区的环形方向间隔布设。

9.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在半导体衬底的第一面上形成抗反射膜层，所述第一面形成有掺杂类型不同的第一掺杂区和第二掺杂区，所述抗反射膜层的与所述第一掺杂区相对的至少部分区域形成光敏区；

在所述抗反射膜层的远离所述半导体衬底的一侧形成介质层；

在所述介质层内形成第一导电通道和第二导电通道；

在所述介质层的远离所述抗反射膜层的一侧形成导电层，并对所述导电层进行构图，以形成第一电极和第二电极，且所述第一电极通过所述第一导电通道电连接所述第一掺杂区，以及使得所述第二电极通过所述第二导电通道电连接所述第二掺杂区；

形成钝化层，以使得所述介质层的远离所述抗反射膜层的表面形成所述钝化层；

去除所述第一电极和所述第二电极表面的所述钝化层，并在所述钝化层形成镂空区，使得所述镂空区穿过所述介质层贯通至所述光敏区，以使得所述光敏区露出。

10.根据权利要求9所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，在所述介质层的远离所述抗反射膜层的一侧形成导电层之后，在形成所述第一电极和所述第二电极之前，所述制备方法还包括：

在所述导电层的远离所述介质层的一侧形成所述刻蚀阻止层，以使得形成的所述第一电极和所述第二电极的表面均具有所述刻蚀阻止层。