[发明专利]石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器及制备方法与应用在审
申请号: | 202111486768.0 | 申请日: | 2021-12-07 |
公开(公告)号: | CN114384140A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 杨诚;张显美 | 申请(专利权)人: | 山东师范大学 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 王磊 |
地址: | 250014 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 碲化钨异质 结构 生物 传感器 制备 方法 应用 | ||
1.一种石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器,其特征是,包括导电玻璃,所述导电玻璃表面设置单层单晶石墨烯薄膜,单层单晶石墨烯膜薄开设石墨烯沟道,石墨烯沟道上设置碲化钨薄膜形成顶栅,并使石墨烯与碲化钨形成石墨烯/碲化钨异质结构。
2.一种石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器的制备方法,其特征是,在金属箔表面制备单层单晶石墨烯材料,将金属箔刻蚀去除获得单层单晶石墨烯薄膜,将单层单晶石墨烯薄膜转移至导电玻璃表面,将单层单晶石墨烯薄膜刻出石墨烯沟道,将碲化钨薄膜转至使碲化钨薄膜搭接在石墨烯沟道上。
3.如权利要求2所述的石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器的制备方法,其特征是,采用化学气相沉积法在金属箔表面制备单层单晶石墨烯材料。
4.如权利要求3所述的石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器的制备方法,其特征是,采用化学气相沉积法制备单层单晶石墨烯材料的过程为:真空条件下加热金属箔,向金属箔通入氢气并升高温度进行退火处理,再通入甲烷进行化学气相沉积,然后停止通入甲烷并降温,最后停止通入氢气并停止加热。
5.如权利要求4所述的石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器的制备方法,其特征是,退火处理的时间不低于1h;退火处理的时间优选为1~1.5h;优选地,氢气的通入流率为45~55sccm;
或,向金属箔通入氢气前的温度为190~210℃;
或,退火处理的温度950~1050℃。
6.如权利要求4所述的石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器的制备方法,其特征是,通入甲烷的时间为25~35min;优选地,甲烷的通入流率为45~55sccm;优选地,氢气与甲烷的流速比为1:0.9~1.1。
7.如权利要求2所述的石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器的制备方法,其特征是,刻蚀金属箔的溶液为氯化铁溶液。
8.如权利要求2所述的石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器的制备方法,其特征是,采用钨钢针在单层单晶石墨烯薄膜中间刻划出沟道作为石墨烯沟道;优选地,钨钢针与单层单晶石墨烯薄膜表面呈45±0.5度夹角,使用同一力度并保持直线。
9.如权利要求2所述的石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器的制备方法,其特征是,将碲化钨薄膜转至使碲化钨薄膜搭接在石墨烯沟道上的过程为:将碲化钨薄膜转移至热释放胶带上,将热释放胶带落在搭接在石墨烯沟道,然后加热使热释放胶带上的碲化钨薄膜释放,并移走热释放胶带,使碲化钨薄膜搭接在石墨烯沟道上。
10.一种权利要求1所述的石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器或权利要求2~9任一所述的制备方法获得的石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器在检测DNA分子中的应用。
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