[发明专利]一种半导体激光器的聚焦耦合光路在审
申请号: | 202111487479.2 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114172015A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 周少丰;黄良杰;刘鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市星汉激光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/02253 | 分类号: | H01S5/02253;H01S5/02255;H01S5/02326 |
代理公司: | 武汉瑞创星知识产权代理事务所(普通合伙) 42274 | 代理人: | 易滨 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝安区福海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体激光器 聚焦 耦合 | ||
1.一种半导体激光器的聚焦耦合光路,包括第一激光阵列和第二激光阵列,所述第一激光阵列包括若干呈阶梯式排布的第一激光芯片,所述第二激光阵列包括若干呈阶梯式排布的第二激光芯片,每一所述第一激光芯片和每一所述第二激光芯片的出光方向上均设有一准直透镜,每一所述准直透镜的出光方向上设有一呈预设角度设置的第一反射镜,其特征在于,还包括用于将所述第一反射镜传播过来的激光束进行聚焦进入一光纤的离轴曲面反射镜,经所述第一反射镜转向后的第一激光束和第二激光束平行于所述离轴曲面反射镜的对称轴,所述离轴曲面反射镜的焦点位于光纤的接收端面内;其中,
以同一排序方向计数,同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片所放置的台阶高度相等,且同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片平行交错设置。
2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的聚焦耦合光路,其特征在于,在所述第一激光阵列与所述第二激光阵列中,所述第一激光阵列的第N位序的所述第一激光芯片与所述第二激光阵列的第N+1位序的所述第二激光芯片平行交错设置。
3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的聚焦耦合光路,其特征在于,在所述第一激光阵列与所述第二激光阵列中,同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片共设于同一台阶上,且同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片的中心均位于所述台阶的一对角线上。
4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的聚焦耦合光路,其特征在于,在所述第一激光阵列与所述第二激光阵列中,同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片处于等高的两不同台阶上,用于放置同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片的两台阶同方向的对角线位于同一直线上,所述第一激光芯片与所述第二激光芯片的中心均位于对应台阶的对角线上。
5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的聚焦耦合光路,其特征在于,在所述第一激光阵列与所述第二激光阵列中,同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片的出光方向相同。
6.根据权利要求5所述的一种半导体激光器的聚焦耦合光路,其特征在于,所述准直透镜包括慢轴准直透镜,在所述第一激光阵列与所述第二激光阵列中,同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片出光方向分别对应的两所述慢轴准直透镜的焦距差等于同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片的激光出射点的位置距离差,使所述第一激光芯片和所述第二激光芯片对应的所述慢轴准直透镜排列成一条直线。
7.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的聚焦耦合光路,其特征在于,在所述第一激光阵列与所述第二激光阵列中,同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片共一所述第一反射镜,同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片中,所述第一激光芯片和所述第二激光芯片发出的激光经对应的准直透镜准直后射向共用的第一反射镜上等高的不同位置,并被共用的第一反射镜反射而沿着平行所述离轴曲面反射镜的对称轴的方向射向所述离轴曲面反射镜。
8.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的聚焦耦合光路,其特征在于,还包括第二反射镜和偏振合束器;
所述偏振合束器包括第一入光面、第二入光面、反射面和出光面,所述第一入光面与所述出光面相平行,所述第二入光面与所述出光面相垂直;
在所述第一激光阵列与所述第二激光阵列中,以同一排序方向计数,同一位序的所述第一激光芯片与所述第二激光芯片的出光方向相反,其中,所述第一激光芯片的出射激光经对应的所述第一反射镜转向后射向所述第一入光面,之后从所述出光面射出射向所述离轴曲面反射镜,所述第二激光芯片经对应的所述第一反射镜转向后射向所述第二反射镜,经所述第二反射镜转向后射向所述第二入光面,之后射向所述反射面,经所述反射面转向后从所述出光面射出射向所述离轴曲面反射镜。
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