[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，用于蚀刻存在于基板的Si或SiN，所述蚀刻方法包括以下处理：

对具有Si或SiN的基板实施自由基氧化处理，在Si或SiN的表面生成氧化膜；

利用气体对所述氧化膜进行化学处理；以及

去除通过所述化学处理生成的反应生成物，

其中，所述蚀刻方法多次重复生成所述氧化膜的处理、进行所述化学处理的处理、以及去除所述反应生成物的处理。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻方法多次重复进行所述化学处理的处理、以及去除所述反应生成物的处理。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

在同一处理容器内实施生成所述氧化膜的处理、以及进行所述化学处理的处理。

4.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

在同一处理容器内实施进行所述化学处理的处理、以及去除所述反应生成物的处理。

5.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

在同一处理容器内实施生成所述氧化膜的处理、进行所述化学处理的处理、以及去除所述反应生成物的处理。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

在不同的处理容器中实施进行所述化学处理的处理、以及去除所述反应生成物的处理。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述自由基氧化处理中通过含氧气体生成含氧等离子体，并且使含氧等离子体中的主要是氧自由基进行作用。

8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述含氧气体仅是O₂气体、或者是H₂气体、含氟气体、以及稀有气体中的至少一种与O₂气体的混合气体。

9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述含氟气体为NF₃气体。

10.根据权利要求7至9中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

通过远程等离子体在与配置所述基板的处理空间不同的等离子体生成空间中生成所述含氧等离子体，对所述基板供给含氧等离子体中的氧自由基。

11.根据权利要求8至10中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述基板具有4μm以上的深度的凹部，所述Si或所述SiN存在于所述凹部的侧面，在进行所述自由基氧化处理时，调整压力以及/或者所述含氧气体中的所述含氟气体的比例，以控制所述凹部的正面宽度与最深部之间的负载效应。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

利用包含含氟气体的处理气体来进行所述利用气体进行的化学处理。

13.根据权利要求12所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述包含含氟气体的处理气体包含含氟气体、以及H₂O气体或还原性气体。

14.根据权利要求13所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述包含含氟气体的处理气体包含HF气体作为所述含氟气体，包含NH₃气体作为所述还原性气体。

15.根据权利要求14所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述反应生成物为在进行所述化学处理后生成的氟化铵类化合物。