[发明专利]一种基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器的结构为电极/Sn-CdS/MoTe₂异质结/电极；所述Sn-CdS/MoTe₂异质结中Sn-CdS为Sn掺杂CdS纳米线，MoTe₂为纳米片；所述Sn掺杂CdS纳米线与MoTe₂纳米片构建为垂直异质结，Sn-CdS/MoTe₂异质结不与电极接触。

2.根据权利要求1所述的基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器，其特征在于，所述电极为Ti/Au，Ti的厚度为8～12nm，Au的厚度为45～55nm。

3.根据权利要求1所述的基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器，其特征在于，所述Sn掺杂CdS纳米线中Sn掺杂量为1～3％，Sn掺杂CdS纳米线的长度为100～500μm，直径在1～5μm。

4.根据权利要求1所述的基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器，其特征在于，所述MoTe₂的厚度为10～30nm。

5.一种根据权利要求1-4任一项所述的基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：

S1.采用化学气相生长法得到的Sn掺杂CdS纳米线，将单根纳米线放到Si/SiO₂衬底的表面，并在80～100℃加热，使纳米线与衬底贴合，制得Sn掺杂CdS纳米线/Si/SiO₂衬底；

S2.采用机械剥离法剥离MoTe₂晶体，在硅片衬底上得到MoTe₂纳米片；

S3.采用干法转移的法将MoTe₂纳米片转移到步骤S1的Sn掺杂CdS纳米线上，得到Sn-CdS/MoTe₂异质结；

S4.分别在MoTe₂纳米片与Sn-CdS纳米线的边缘制作Ti/Au电极，在真空条件下150～200℃退火，制得电极/Sn-CdS/MoTe₂异质结/电极，即为基于混维Sn-CdS/MoTe₂异质结的光电探测器。

6.根据权利要求5所述的基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述加热的时间为10～20min。

7.根据权利要求5所述的基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤S4中所述退火的时间为20～30min。

8.权利要求1-4任一项所述的基于混维Sn-CdS/碲化钼异质结的光电探测器在宽带快速光电探测、成像或光电通讯领域中的应用。