[发明专利]耐用性预知的NAND闪存管理

权利要求书

1.一种方法，其特征在于，包括：

基于包括页错误计数、编程时间和编程/擦除(P/E)循环数的多个因素，将非易失性存储设备的活动存储块分类为耐用组和非耐用组；

确定需要执行高速缓存编程操作；

从所述耐用组中选择第一存储块以执行所述高速缓存编程操作；

确定需要执行常规编程操作；和

从所述非耐用组中选择第二存储块以执行所述常规编程操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定需要执行所述高速缓存编程操作包括：从主机接收编程命令，以及确定需要通过所述高速缓存编程操作执行来自所述主机的所述编程命令。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定需要执行所述常规编程操作包括：初始化后端编程操作和确定需要由所述常规编程操作执行所述后端编程操作。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：基于所述多个因素为每个活动存储块生成耐用性得分，其中将所述活动存储块分类到所述耐用组和所述非耐用组包括将每个活动存储块的所述耐用性得分与耐用性阈值进行比较。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，每个活动存储块的耐用性得分是基于所述多个因素中的至少一些的历史变化来设置的。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述非易失性存储设备的寿命期间调整所述耐用性阈值，其中所述耐用性阈值在使用的早期阶段为低并且随着使用而增加。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

初始化垃圾回收操作；

确定在所述垃圾回收操作期间擦除的块属于所述非耐用组；和

对所述垃圾回收操作期间擦除的块执行坏块扫描。

8.一种非易失性存储系统，其特征在于，包括：

非易失性存储设备；和

处理器，被配置为：

基于包括页错误计数、编程时间和编程/擦除(P/E)循环数的多个因素，将所述非易失性存储设备的活动存储块分类为耐用组和非耐用组；

确定需要执行高速缓存编程操作；

从所述耐用组中选择第一存储块以执行高速缓存编程操作；

确定需要执行常规编程操作；和

从所述非耐用组中选择第二存储块以执行常规编程操作。

9.根据权利要求9所述的非易失性存储系统，其特征在于，确定需要执行所述高速缓存编程操作包括：从主机接收编程命令，以及确定需要通过所述高速缓存编程操作执行来自所述主机的所述编程命令。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储系统，其特征在于，确定需要执行所述常规编程操作包括：初始化后端编程操作和确定需要由所述常规编程操作执行所述后端编程操作。

11.根据权利要求9所述的非易失性存储系统，其特征在于，所述处理器还被配置为：基于所述多个因素为每个活动存储块生成耐用性得分，其中将所述活动存储块分类到所述耐用组和所述非耐用组，所述处理器还被配置为：将每个活动存储块的所述耐用性得分与耐用性阈值进行比较。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储系统，其特征在于，每个活动存储块的耐用性得分是基于所述多个因素中的至少一些的历史变化来设置的。

13.根据权利要求11所述的非易失性存储系统，其特征在于，在所述非易失性存储设备的寿命期间调整所述耐用性阈值，其中所述耐用性阈值在使用的早期阶段为低并且随着使用而增加。