[发明专利]一种抗漂移的双气敏膜气体传感器

权利要求书

1.一种抗漂移的双气敏膜气体传感器，包括基底、加热电极及多个气敏单元，所述加热电极及多个所述气敏单元间隔设置在所述基底上，其特征在于，所述气敏单元包括构成至少两个插齿电极的至少三个测量电极和至少两个气敏膜，所述至少三个测量电极间隔设置在所述基底上，所述至少两个气敏膜分别由纯金属氧化物和改性材料制作而成，所述至少两个气敏膜分别设置且覆盖在所述至少两个插齿电极上。

2.根据权利要求1所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述改性材料的基体材料为所述纯金属氧化物。

3.根据权利要求1所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述改性材料为使用Pt、Au、Ag、Ga、Ir、Pd中的一种或多种组合进行掺杂、修饰后得到的一种组合物。

4.根据权利要求2所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述气敏膜的数量为两个，由纯金属材料制作而成的气敏膜覆盖在两个插齿电极中的任意一个上，则由改性材料制作而成的气敏膜则对应覆盖在所述两个插齿电极的另一个上。

5.根据权利要求2所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述基体的材料选自N型金属氧化物半导体材料或P型金属氧化物半导体材料。

6.根据权利要求5所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述N型金属氧化物半导体材料可为SnO₂、ZnO、TiO₂、WO₃、In₂O₃、V₂O₅、MoO₃的任意一种；所述P型金属氧化物半导体材料可为Co₃O₄、NiO、CeO₂、Bi₂O₃、CuO、La₂O₃的任意一种。

7.根据权利要求1-6任一项所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述测量电极的数量为三个，三个所述测量电极分别为第一测量电极、第二测量电极及第三测量电极，通过测量所述第一测量电极与所述第二测量电极之间的电阻R₁与所述第二测量电极与所述第三测量电极之间的电阻R₂来获取对气体的响应信号。

8.根据权利要求1所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述加热电极与外接电源电性连接，以对气体传感器进行加热，使得所述气体传感器维持在预定工作温度。

9.根据权利要求1所述的抗漂移的双气敏膜气体传感器，其特征在于，所述测量电极由纯金属或者合金材料制作而成，且所述测量电极的结构为均质单层或者异质多层。