[发明专利]一种晶硅表面电池的碱抛光方法

权利要求书

1.一种晶硅表面电池的碱抛光方法，包括：

将多晶硅片进行清洗处理得到处理后的多晶硅片，所述多晶硅片上无二氧化硅氧化层；

将处理后的多晶硅片于抛光液中处理得到了抛光后的多晶硅片；所述抛光液中含有四甲基氢氧化铵、异丙醇和三嗪衍生物，所述三嗪衍生物由三聚氯氰上至少一个氯被L-半胱氨酸取代得到的取代物的混合物。

2.根据权利要求1所述的一种晶硅表面电池的碱抛光方法，其特征是：所述清洗处理中使用氢氟酸溶液清除二氧化硅氧化层。

3.根据权利要求1所述的一种晶硅表面电池的碱抛光方法，其特征是：所述清洗处理中使用碱清洗液和酸清洗液对多晶硅片进行清洗；所述碱清洗液由氨水、双氧水和去离子水混合组成，所述酸清洗液由盐酸、双氧水和去离子水混合组成。

4.根据权利要求1所述的一种晶硅表面电池的碱抛光方法，其特征是：所述抛光液中含有5-硝基呋喃-2-甲酰肼。

5.权利要求1-4任一所述方法制备得到的多晶硅片。

6.一种抛光液，包括：将四甲基氢氧化铵加入去离子水中，加入异丙醇和三嗪衍生物，混合均匀后得到，所述三嗪衍生物由三聚氯氰上至少一个氯被L-半胱氨酸取代得到的取代物的混合物。

7.根据权利要求6所述的一种抛光液，其特征是：所述抛光液中含有5-硝基呋喃-2-甲酰肼。

8.根据权利要求6所述的一种抛光液，其特征是：所述抛光液中四甲基氢氧化铵的含量为3-9wt%。

9.一种含有四甲基氢氧化铵、异丙醇和三嗪衍生物的抛光液在抛光多晶硅片中的用途，包括：所述三嗪衍生物由三聚氯氰上至少一个氯被L-半胱氨酸取代得到的取代物的混合物。