[发明专利]一种基于非均匀电磁超材料的射频微系统在审
| 申请号： | 202111494768.5 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114171502A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 安慧林;李君;周云燕;张文雯;元健 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 均匀 电磁 材料 射频 系统 | ||
1.一种基于非均匀电磁超材料的射频微系统，其特征在于，包括：
腔室；
多个电磁辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述多个电磁辐射源被配置为产生频率各不相同的电磁辐射；以及
非均匀电磁超材料层，其包括多个吸波区域，其中所述多个吸波区域被配置为吸收频率各不相同的电磁辐射。
2.根据权利要求1所述的基于非均匀电磁超材料的射频微系统，其特征在于，所述非均匀电磁超材料层包括：
基板；
电磁超材料单元，其布置于所述基板的第一侧，其中所述电磁超材料被配置为吸收电磁辐射；以及
金属屏蔽层，其布置于所述基板的第二侧，其中所述金属屏蔽层被配置为屏蔽电磁辐射。
3.根据权利要求2所述的基于非均匀电磁超材料的射频微系统，其特征在于，所述多个吸波区域包括多种电磁超材料单元，其中所述多种电磁超材料单元被配置为吸收频率各不相同的电磁辐射。
4.根据权利要求2所述的基于非均匀电磁超材料的射频微系统，其特征在于，所述非均匀电磁超材料层包括电阻性薄膜单元，其中所述电阻性薄膜单元布置于所述电磁超材料单元处和\或所述电阻性薄膜单元布置于多个所述电磁超材料单元之间的连接处。
5.根据权利要求4所述的基于非均匀电磁超材料的射频微系统，其特征在于，所述电磁超材料单元被配置为感应电磁辐射以形成传导电流和位移电流，并且利用所述电磁超材料单元的电阻消耗能量。
6.根据权利要求5所述的基于非均匀电磁超材料的射频微系统，其特征在于，所述电阻性薄膜单元被配置为利用其电阻消耗能量。
7.根据权利要求1所述的基于非均匀电磁超材料的射频微系统，其特征在于，所述电磁辐射源包括芯片以及打线。
8.根据权利要求1所述的基于非均匀电磁超材料的射频微系统，其特征在于，包括硅通孔、球栅阵列以及阻容器件。
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