[发明专利]半导体器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底；沟道区和漂移区，位于所述衬底内；源区和漏区，分别位于所述沟道区和所述漂移区内；栅极结构，位于所述源区和所述漏区之间的所述衬底上；场板，位于所述漂移区的部分表面上，且所述栅极多晶硅覆盖所述场板的部分宽度；层间介质层，具有贯穿的源极插塞、转移插塞和漏极插塞，分别与所述源区、所述场板和所述漏区电性连接；金属布线层，包括第一金属图案和第二金属图案，所述第一金属图案与所述源极插塞和所述转移插塞电性连接，所述第二金属图案与所述漏极插塞电性连接。本发明能够提高半导体器件的耐压，且不会形成较大的导通电阻，从而提高半导体器件的电性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

BCD工艺是一种集合Bipolar器件、CMOS器件和DMOS器件的芯片制造工艺，BCD工艺具有高跨导、强负载驱动能力、集成度高和低功耗的优点。其中DMOS器件是BCD电路中的核心部分，一般DMOS器件所占的芯片面积为总面积的60%以上，目前为了工艺集成所使用的是LDMOS器件。LDMOS器件的两大关键参数为：源漏耐压和导通电阻，LDMOS器件设计的目标是提高源漏耐压的同时维持一个较低的源漏导通电阻。

图1为现有技术中LDMOS器件的结构示意图。请参考图1，图1为一种典型的LMOS器件的结构，对于不同的耐压要求，通常的做法是调整以下尺寸：沟道长度A、场板30’与栅极多晶硅42’的重合尺寸B及场板30’延伸出栅极多晶硅42’的尺寸C；例如对于16V的LDMOS器件，通常沟道长度A为0.5µm左右、场板30’与栅极多晶硅42’的重合尺寸B为0.7µm左右及场板30’延伸出栅极多晶硅42’的尺寸C为0.8µm左右；但随着源漏耐压要求的提高，对于A、B及C的尺寸要求不能无限提高，并且单纯改变A、B及C的尺寸会导致源漏的导通电阻相应的线性增加。因此，需要对LDMOS器件的结构进行改进，以使LDMOS器件同时满足较高源漏耐压和较小导通电阻。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，以提高半导体器件的电性能。

为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体器件，包括：

衬底；

沟道区和漂移区，位于所述衬底内；

源区和漏区，分别位于所述沟道区和所述漂移区内；

栅极结构，位于所述源区和所述漏区之间的所述衬底上；

场板，位于所述漂移区的部分表面上，且所述栅极结构覆盖所述场板的部分宽度；

层间介质层，覆盖所述衬底和所述栅极结构，所述层间介质层中具有贯穿的源极插塞、转移插塞和漏极插塞，所述源极插塞、转移插塞和漏极插塞分别与所述源区、所述场板和所述漏区电性连接；

金属布线层，位于所述层间介质层上，包括第一金属图案和第二金属图案，所述第一金属图案与所述源极插塞和所述转移插塞电性连接，所述第二金属图案与所述漏极插塞电性连接。

可选的，所述源区和所述漏区上形成有金属硅化物层，所述源极插塞和所述漏极插塞的底部接触所述金属硅化物层的表面，并分别通过对应的所述金属硅化物层与所述源区和所述漏区电性连接。

可选的，所述金属硅化物层和所述场板上形成有接触孔停止层，所述接触孔停止层的厚度为300Å~800Å。

可选的，所述转移插塞的横向尺寸大于所述源极插塞和所述漏极插塞的横向尺寸。

可选的，所述转移插塞的横向尺寸为0.35µm~0.6µm，所述源极插塞和所述漏极插塞的横向尺寸均为0.2µm~0.28µm。

可选的，所述转移插塞延伸至所述场板中。

可选的，所述场板的厚度大于500Å。

本发明还提供了一种半导体器件的制备方法，包括：

提供衬底；