[发明专利]一种PA芯片的偏置控制环路

权利要求书

1.一种PA芯片的偏置控制环路，其特征在于，所述PA芯片的偏置控制环路包括：控制芯片与PA芯片；

所述控制芯片设有相互连接的偏置波形发生电路和电流电压控制电路，所述PA芯片设有传感器管，所述传感器管的基极端和集电极端连接；

所述电流电压控制电路分别与所述传感器管的射极端以及所述传感器管的基极端和集电极端的连接端连接，并从所述传感器管的射极端采集电压，将采集电压转换成电流后发送至所述传感器管的基极端和集电极端的连接端，以构成环形控制电路。

2.根据权利要求1所述的PA芯片的偏置控制环路，其特征在于，所述电流电压控制电路，包括：第一误差放大器、第一MOS管、第二MOS管和第三电阻；

其中，所述第一MOS管的栅极端和所述电流电压控制电路的偏置电压输入端连接，所述第一MOS管的源极端和所述第二MOS管的源极端连接，所述第一MOS管和所述第二MOS管的连接端与电源端连接，所述第一MOS管的漏极端分别和所述第一误差放大器的负极端以及所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与接地端连接，所述第一误差放大器的输出端和所述第二MOS管的栅极端连接，所述第二MOS管的漏极端与所述电流电压控制电路的电流输出端连接，所述第一误差放大器的正极端与所述电流电压控制电路的电压采集端连接。

3.根据权利要求2所述的PA芯片的偏置控制环路，其特征在于，所述偏置波形发生电路，包括：第三MOS管，第一开关、第二开关、第三开关和第一电容；

所述第一MOS管的漏极端和所述第一开关连接，所述第一开关和所述第二开关连接，所述第二开关和所述第三MOS管的漏极端连接，所述第一开关和所述第二开关的连接端分别与所述第一误差放大器的负极端、所述第三开关以及所述第一电容的一端连接，所述第三开关与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端、所述第一电容的另一端以及第三MOS管的源极端分别与接地端连接。

4.根据权利要求1所述的PA芯片的偏置控制环路，其特征在于，所述电流电压控制电路，包括：第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第四电阻和第五电阻；

所述第六MOS管、所述第七MOS管和所述第八MOS管的栅极端分别与所述电流电压控制电路的偏置电压输入端连接，所述第六MOS管、所述第七MOS管和所述第八MOS管的源极端分别与电源端连接，所述第六MOS管的漏极端分别与所述第四MOS管的漏极端、所述第四MOS管的栅极端以及所述第五MOS管的栅极端连接；

所述第四MOS管的源极端与所述第四电阻的一端连接，所述第五MOS管的漏极端分别与所述第七MOS管的漏极端以及所述第九MOS管的栅极端连接，所述第五MOS管的源极端和所述第五电阻的一端连接，所述第五MOS管和所述第五电阻的连接端与所述电流电压控制电路的电压采集端连接；

所述第八MOS管的漏极端和所述第九MOS管的漏极端连接，所述第八MOS管和所述第九MOS管的连接端与所述电流电压控制电路的电流输出端连接，所述第九MOS管的源极端、第四电阻的另一端以及所述第五电阻的另一端分别与接地端连接。

5.根据权利要求4所述的PA芯片的偏置控制环路，其特征在于，所述偏置波形发生电路，包括：第六电阻、第四开关和第二电容；

所述第六电阻的一端和所述第二电容的一端与所述第五电阻和所述第五MOS管的连接端连接，所述第六电阻的另一端与所述第四开关连接，所述第四开关的另一端和所述第二电容的另一端分别与所述接地端连接。

6.根据权利要求4或5任意一项所述的PA芯片的偏置控制环路，其特征在于，所述第六MOS管和所述第七MOS管的面积比例为1：1；

所述第七MOS管和所述第八MOS管的面积比例为1：M；

所述第四MOS管和所述第五MOS管的面积比例为1：1；

所述第四电阻和所述第五电阻的阻值比为1：1。