[发明专利]单功率相降压和升压转换器在审
申请号: | 202111495745.6 | 申请日: | 2021-12-09 |
公开(公告)号: | CN114679822A | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | T·V·特兰;V·尤瑟夫扎德 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H05B45/375 | 分类号: | H05B45/375;H05B45/38;H05B45/30;G03B15/05;H02M3/158 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 袁策 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 降压 升压 转换器 | ||
1.一种装置,包括:
第一晶体管,其具有第一晶体管漏极、第一晶体管源极和第一晶体管栅极;
开关,其适于通过电感器将电源耦合到所述第一晶体管漏极;
二极管,其具有二极管阴极和二极管阳极,所述二极管阴极耦合到所述第一晶体管漏极;
电容器,其耦合在所述二极管阳极和接地之间;
分压器,其耦合在所述二极管阳极和接地之间,并具有分压器输出;
第二晶体管,其具有第二晶体管源极和第二晶体管栅极;
电阻器,其耦合在所述二极管阳极和所述第二晶体管源极之间;以及
控制器,其耦合到所述第一晶体管栅极、所述第一晶体管源极、所述分压器输出、所述二极管阳极、所述第二晶体管栅极和所述第二晶体管源极。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二晶体管具有适于耦合到负载的第二晶体管漏极。
3.根据权利要求1所述的装置,还包括第三晶体管,其具有第三晶体管漏极、第三晶体管源极和第三晶体管栅极,所述第三晶体管漏极耦合到所述第一晶体管漏极,所述第三晶体管源极耦合到所述控制器,并且所述第三晶体管栅极耦合到所述控制器。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述电阻器是第一电阻器,所述装置还包括耦合在所述第三晶体管源极和接地之间的第二电阻器。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述电阻器是第一电阻器,所述装置还包括耦合在所述第一晶体管源极和接地之间的第二电阻器。
6.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述控制器被配置为响应于接收到具有有效值的控制信号:
根据恒压控制在升压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用以对从所述电源接收的信号的值进行升压以对所述电容器充电,并且
所述控制器被配置为响应于接收到具有无效值的所述控制信号:
根据恒流控制在降压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用,以使所述电容器通过所述电阻器和所述第二晶体管放电。
7.一种装置,包括:
第一晶体管,其具有第一晶体管漏极、第一晶体管源极和第一晶体管栅极,所述第一晶体管漏极适于耦合到电感器;
二极管,其具有二极管阴极和二极管阳极,所述二极管阴极耦合到所述第一晶体管漏极;
电容器,其耦合在所述二极管阳极和接地之间;
分压器,其耦合在所述二极管阳极和接地之间,并具有分压器输出;
第二晶体管,其具有第二晶体管源极和第二晶体管栅极;
电阻器,其耦合在所述二极管阳极和所述第二晶体管源极之间;以及
控制器,其耦合到所述第一晶体管栅极、所述第一晶体管源极、所述分压器输出、所述二极管阳极、所述第二晶体管栅极和所述第二晶体管源极,所述控制器被配置为在升压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用以对从所述电源接收的信号的值进行升压以对所述电容器充电。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述控制器被配置为在降压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用,以使所述电容器通过所述电阻器和所述第二晶体管放电。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述控制器被配置为根据恒流控制在所述降压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用。
10.根据权利要求7所述的装置,其中所述控制器被配置为根据恒压控制在所述升压操作模式下控制所述第一晶体管与所述电感器相互作用。
11.根据权利要求7所述的装置,还包括第三晶体管,其具有第三晶体管漏极、第三晶体管源极和第三晶体管栅极,所述第三晶体管漏极耦合到所述第一晶体管漏极,所述第三晶体管源极耦合到所述控制器,并且所述第三晶体管栅极耦合到所述控制器。
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