[发明专利]一种基于真空状态下测定有机光电材料热失重温度的方法

说明书

本发明属于检测技术领域，公开了一种基于真空状态下测定有机光电材料热失重温度的方法。该方法方法是在1‑10Pa的真空度条件下进行，该方法中使用了坩埚和待测的有机光电材料，待测的有机光电材料的体积不超过坩埚体积的一半。该方法使得最终测试得到的有机光电材料热失重0.5％的温度结果与现有技术中在真空度为4.0×10^‑3Pa下测试的有机光电材料升华温度保持一致。由此可见，在本发明测试条件下测定的有机光电材料热失重温度准确度高，且真空度要求远低于现有技术中的真空度要求，这在保证测量准确度的同时，大大降低了测量成本。

技术领域

本发明属于检测技术领域，具体涉及一种基于真空状态下测定有机光电材料热失重温度的方法。

背景技术

有机光电材料(简称OLED材料)一直是光电信息功能材料领域的研究热点之一。尤其是以有机小分子半导体发光材料为发光层制成的有机电致发光器件，具有自发光性、低耗电、高对比度、响应速度快、广视角、易实现全色显示、可柔性显示等优点，一直备受研究界的关注。经过了几十年的发展，有机电致发光器件的性能在不断提高。器件性能如发光效率、使用寿命等的提升，在很大程度上受限于有机光电材料的纯度，而纯度的提高有赖于多次细致的提纯过程。

目前最常用且有效的纯化方法为温度梯度升华分离法，这种方法的原理主要是设定一个温度梯度，采用逐步升温的方式来加热升华管，在真空环境下将主物质和杂质分离，从而进行提纯。这导致提纯过程的温度选择尤为重要。传统的热失重分析为常压氮气氛围下测定出材料不同温度与重量变化关系的热失重曲线，从而可知材料发生升华、分解等一系列重量变化时对应的温度。但是现有技术中往往在常压氮气氛围下测定有机光电材料的热失重曲线，这样测定的热失重曲线往往存在与实际情况不太符合的情况，即存在不准确的情况。现有技术中也有采用在真空度(例如4.0×10^-3Pa，真空度的值越接近0，表示真空度要求越高)很高的情况下测定有机光电材料的升华温度，但是这样高真空度要求往往需要巨大的设备成本，不利于对常规有机光电材料的研究。

因此，亟需提供一种测定有机光电材料热失重温度的方法，该方法不仅能准确地测定有机光电材料热失重温度，而且该方法无需很高的真空度要求。

发明内容

本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种基于真空状态下测定有机光电材料热失重温度的方法，所述方法不仅能准确地测定有机光电材料热失重温度，而且所述方法无需很高的真空度要求(至少真空度要求远低于4.0×10^-3Pa)。有利于测定成本的降低，进而有利于所述方法的广泛应用。

本发明的发明构思为：在真空度为1-10Pa的状态下测定有机光电材料热失重温度，并且测试过程中待测试的有机光电材料的加入量不超过坩埚体积的一半，使得最终测试得到的有机光电材料热失重温度的结果与现有技术中在真空度为4.0×10^-3Pa下测试的有机光电材料升华温度一致。由此可见，在本发明测试条件下测定的有机光电材料热失重温度准确度高，且真空度要求远低于现有技术中的真空度要求，这在保证测量准确度的同时，大大降低了测量成本。

本发明的第一方面提供一种基于真空状态下测定有机光电材料热失重温度的方法。

具体的，一种基于真空状态下测定有机光电材料热失重温度的方法，所述方法是在1-10Pa的真空度条件下进行，且所述方法中使用了坩埚和待测的有机光电材料，所述待测的有机光电材料的体积不超过坩埚体积的一半。

优选的，所述方法是在1-5Pa的真空度条件下进行；更优选的，所述方法是在1-4Pa的真空度条件下进行。

优选的，所述待测的有机光电材料的体积为坩埚体积的1/6-1/2；进一步优选的，所述待测的有机光电材料的体积为坩埚体积的1/5-1/3。