[发明专利]一种肖特基型沟槽MOS管及其制备方法

权利要求书

1.一种肖特基型沟槽MOS管，包括：半导体基板，半导体基板的上表面为第一主面，半导体基板的下表面为第二主面；半导体基板在第一主面上设置有至少两个斜沟槽，斜沟槽的内壁上及其沿口周围均设置有绝缘栅氧化层，所述的斜沟槽内设置有导电多晶硅；在所述斜沟槽外围的第一主面下方设置有高掺杂浓度第一导电类型注入层，在高掺杂浓度第一导电类型注入层与引线孔的外壁之间设置有高掺杂浓度第二导电类型注入层，在高掺杂浓度第一导电类型注入层的下方与斜沟槽的外壁之间设置有轻掺杂浓度第二导电类型注入层；在斜沟槽中的导电多晶硅的上方、以及斜沟槽沿口周围的第一主面上依次设置有绝缘介质层和第一金属层，并且，该第一金属层从斜沟槽的两侧垂直向下依次穿过绝缘介质层、掺杂浓度第一导电类型注入层和高掺杂浓度第二导电类型注入层、与所述的轻掺杂浓度第二导电类型注入层接触。

2.根据权利要求1所述的一种肖特基型沟槽MOS管，其特征在于：所述斜沟槽的侧壁与斜沟槽的中心线之间夹角在10~25度之间。

3.根据权利要求1所述的一种肖特基型沟槽MOS管，其特征在于：所述的高掺杂浓度第二导电类型注入层呈扇形。

4.一种肖特基型沟槽MOS管的制备方法，其具体步骤为：

a、在第一导电类型衬底上生长第一导电类型外延层，形成半导体基板，该半导体基板的上表面为第一主面；

b、在第一主面上淀积硬掩膜层；

c、选择性地掩蔽和刻蚀所述的硬掩膜层，在第一主面上形成沟槽刻蚀区；

d、刻蚀第一主面上的沟槽刻蚀区，形成斜沟槽；

e、在第一主面上生长绝缘栅氧化层，该绝缘栅氧化层覆盖所述斜沟槽的内壁；

f、对着第一主面方向淀积导电多晶硅，并刻蚀多余的导电多晶硅，仅使得斜沟槽中填满导电多晶硅；

g、从第一主面上的绝缘栅氧化层处先注入第二导电类型杂质并退火，然后再注入第一导电类型杂质并退火，使得在斜沟槽外围的第一主面下方形成高掺杂浓度第一导电类型注入层，在高掺杂浓度第一导电类型注入层的下方、位于两两斜沟槽之间的中部形成扇形的高掺杂浓度第二导电类型注入层，在高掺杂浓度第一导电类型注入层的下方、高掺杂浓度第二导电类型注入层的侧下方与斜沟槽的外壁之间形成轻掺杂浓度第二导电类型注入层；

h、在斜沟槽中的导电多晶硅的上方、以及斜沟槽沿口周围的第一主面上淀积绝缘介质层；

i、通过刻蚀、形成垂直向下贯穿所述的绝缘介质层、斜沟槽沿口处的绝缘栅氧化层、高掺杂浓度第一导电类型注入层和高掺杂浓度第二导电类型注入层的引线孔；然后，向所述的引线孔中淀积第一金属，在引线孔和第一主面上形成第一金属层。