[发明专利]一种牺牲层辅助的超薄柔性压力传感器制备方法在审

专利信息
申请号: 202111497528.0 申请日: 2021-12-09
公开(公告)号: CN114397047A 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 刘军山;胡小光;吴梦希;黄健;项晓禹 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G01L1/20 分类号: G01L1/20
代理公司: 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 代理人: 苗青;王海波
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 牺牲 辅助 超薄 柔性 压力传感器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种牺牲层辅助的超薄柔性压力传感器制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)选择两个相同的施主基片A、B,在施主基片A、B表面均沉积一层牺牲层;

(2)在施主基片A的牺牲层表面沉积一层聚对二甲苯,并在聚对二甲苯表面通过光刻工艺制作金叉指电极结构;

(3)在施主基片B的牺牲层表面旋涂一层聚二甲基硅氧烷,并在聚二甲基硅氧烷基表面通过喷涂工艺制作碳纳米管导电薄膜;

(4)室温下,将金叉指电极结构对准碳纳米管导电薄膜贴合并放置在水中,利用水溶解去除牺牲层PAA,超薄柔性压力传感器从施主基片表面脱落,得到微米级超薄柔性压力传感器。

2.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的超薄柔性压力传感器制备方法,其特征在于,所述的施主基片材料为玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯或者硅。

3.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的超薄柔性压力传感器制备方法,其特征在于,所述的牺牲层为聚丙烯酸PAA、聚乙烯醇PVA或葡萄糖。

4.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的超薄柔性压力传感器制备方法,其特征在于,所述步骤(2)聚对二甲苯层采用化学气相沉积制作。

5.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的超薄柔性压力传感器制备方法,其特征在于,所述步骤(3)聚二甲基硅氧烷层通过挥发性溶剂稀释后旋涂制作,挥发性溶剂为甲苯或正己烷。

6.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的超薄柔性压力传感器制备方法,其特征在于,所述步骤(3)得到的压力传感器总厚度为1μm。

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