[发明专利]一种CuI/ZTO异质结紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种CuI/ZTO异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：

1）清洗ITO衬底，获得表面洁净无杂质且无氧吸附的ITO衬底；

2）采用PLD方法在洁净的ITO衬底表面沉积ZTO层；

3）在ZTO层表面旋涂CuI前驱体溶液并进行退火得到CuI层；

4）在CuI层和ITO层表面蒸镀Au电极，得到CuI/ZTO异质结紫外探测器。

2. 根据权利要求1所述的CuI/ZTO异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述ZTO层的厚度为200~400 nm，所述CuI层的厚度为50~100 nm。

3.根据权利要求1所述的CuI/ZTO异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤1）具体为：将ITO导电玻璃分别使用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗，清洗结束后吹干表面，并放入等离子体清洗机中清洗，去除衬底表面杂质和氧吸附。

4. 根据权利要求1所述的CuI/ZTO异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤2）具体为：准备ZTO靶材，将ZTO靶材和ITO衬底固定于脉冲激光沉积设备腔室相应位置，采用PLD方法在ITO衬底表面沉积ZTO薄膜；沉积完成后，取出衬底，在空气气氛中进行退火，退火温度为200~400℃，时间为1 h，在ITO衬底上得到ZTO层。

5. 根据权利要求1所述的CuI/ZTO异质结紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤3）具体为：将CuI粉末溶解于乙腈溶剂，在室温下搅拌12 h获得溶液A，然后对溶液A进行过滤，获得CuI前驱体溶液；

在步骤2）获得的ZTO层上旋涂所述CuI前驱体溶液，并进行退火；所述旋涂并退火进行1~2次，在ZTO层上得到CuI层。