[发明专利]TFT基板、液晶显示面板及显示装置在审
| 申请号： | 202111498964.X | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114373802A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 吴伟 | 申请（专利权）人： | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 汪阮磊 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 基板 液晶显示 面板 显示装置 | ||
1.一种TFT基板，其特征在于，包括：
衬底；
栅极，设于所述衬底的一侧；
栅极绝缘层，设于所述栅极远离所述衬底的一侧；
有源层，设于所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧；
源漏极层，设于所述有源层远离所述栅极绝缘层一侧；
其中，所述栅极绝缘层包括与所述栅极直接接触的第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料为电子亲和能低于3eV的绝缘材料。
2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一绝缘层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氧化镧、二氧化锆和聚乙烯中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为10nm～1000nm。
4.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述栅极绝缘层还包括与所述第一绝缘层层叠设置的第二绝缘层，第二绝缘层设于所述第一绝缘层背离所述栅极的一侧，所述第二绝缘层的材料包括氮化硅和氧化硅中的一种或多种。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的TFT基板，其特征在于，所述栅极包括与所述栅极绝缘层直接接触的第一材料层，所述第一材料层的材料为功函数大于或等于4.5eV的材料。
6.根据权利要求5所述的TFT基板，其特征在于，所述第一材料层的材料包括镍、铂、铜、硒、钴中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的TFT基板，其特征在于，所述栅极还包括第二材料层和第三材料层，所述第二材料层设于所述第一材料层背离所述栅极绝缘层的一侧，所述第三材料层设于所述第二材料层背离所述第一材料层的一侧；
所述第二材料层的材料包括铝、铜中的一种或多种；
所述第三材料层的材料包括钼、钛、铌中的一种或多种。
8.根据权利要求5所述的TFT基板，其特征在于，所述栅极还包括第二材料层和第三材料层，所述第二材料层设于所述第一材料层背离所述栅极绝缘层的一侧，所述第三材料层设于所述第二材料层背离所述第一材料层的一侧；
所述第二材料层的材料包括铝、铜中的一种或多种；
所述第三材料层的材料包括镍、铂、铜、硒、钴中的一种或多种。
9.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的TFT基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的液晶显示面板。
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