[发明专利]一种日光温室番茄的栽培方法

权利要求书

1.一种日光温室番茄的栽培方法，其特征在于，采取一畦双行错行定植，包括：第一行定植时起始株距为47-49cm，以3-4株为一个株距单位，株距依次缩减为43-45cm、39-41cm、35-37cm、31-33cm；第二行定植时起始株距为49-51cm，以3-4株为一个株距单位，株距依次缩减为44-46cm、39-41cm、34-36cm、29-31cm；

所述定植双行行距为38-42cm；所述日光温室为前坡覆盖，三面为墙的单坡日光温室，日光温室为南北走向；所述畦为南北走向；所述株距由日光温室墙体沿坡面方向依次缩减。

2.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于，所述一畦双行错行定植为：第一行定植时起始株距为48cm，以3株为一个株距单位，株距依次缩减为44cm、40cm、36cm、32cm；第二行定植时起始株距为50cm，以3株为一个株距单位，株距依次缩减为45cm、40cm、35cm、30cm。

3.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于，所述定植番茄为四叶一心期幼苗。

4.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于，所述定植前采用石灰氮30-40kg/亩对日光温室土壤进行消毒和/或采用硫磺或百菌清进行熏蒸消毒。

5.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于，所述定植前每亩施用腐熟粪肥4.0-4.5m³，尿素6-8kg，深翻土壤28-32cm起垄做畦。

6.根据权利要求5所述的栽培方法，其特征在于，所述畦宽为110-125cm，垄高为14-17cm。

7.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于，所述番茄定植后缓苗期保持日光温室温度33-35℃，缓苗后保持日光温室温度夜晚15-18℃，白天24-27℃。