[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202111500686.7 | 申请日: | 2021-12-09 |
公开(公告)号: | CN114256169A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 何正鸿;徐玉鹏;李利;张超;钟磊 | 申请(专利权)人: | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 梁晓婷 |
地址: | 315400 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:
基底载板;
设置在所述基底载板上的半导体器件;
设置在所述基底载板上,并包覆在所述半导体器件外的塑封体;
设置在所述半导体器件上的第一转接板和第二转接板;
其中,所述塑封体上开设有贯通至所述半导体器件的第一凹槽和第二凹槽,所述第一转接板和所述第二转接板分别贴装在所述第一凹槽和所述第二凹槽内,所述第一转接板远离所述半导体器件的一侧设置有多个第一焊球,所述第二转接板远离所述半导体器件的一侧设置有第二焊球,所述半导体器件同时与所述第一转接板和所述第二转接板电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一转接板和所述第二转接板间隔设置,且至少在所述第一转接板和所述第二转接板之间设置有缓冲胶层,且所述缓冲胶层设置在所述塑封体的表面。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一转接板远离所述第二转接板的一端也设置有所述缓冲胶层,所述第二转接板远离所述第一转接板的一端也设置有所述缓冲胶层。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一凹槽和所述第二凹槽连通,所述第一转接板和所述第二转接板连接为一体。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一转接板靠近所述半导体器件的一侧设置有第一转接焊盘,所述第二转接板靠近所述半导体器件的一侧设置有第二转接焊盘,所述半导体器件远离所述基底载板的一侧设置有第一导电焊盘和第二导电焊盘,所述第一导电焊盘与所述第一转接焊盘连接,所述第二导电焊盘与所述第二转接焊盘连接。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一转接板与所述半导体器件之间设置有第一粘胶层,以使所述第一转接板贴附在所述半导体器件的表面;所述第二转接板与所述半导体器件之间设置有第二粘胶层,以使所述第二转接板贴附在所述半导体器件的表面。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一转接板在所述基底载板上的投影至少部分与所述半导体器件在所述基底载板上的投影相重叠;所述第二转接板在所述基底载板上的投影至少部分与所述半导体器件在所述基底载板上的投影相重叠。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一焊球的尺寸小于所述第二焊球的尺寸。
9.一种半导体封装结构的制备方法,用于制备如权利要求1-8任一项所述的半导体封装结构,其特征在于,包括:
在基底载板上贴装半导体器件;
在所述基底载板上塑封形成包覆在所述半导体器件外的塑封体;
在所述塑封体上开槽形成贯通至所述半导体器件的第一凹槽和第二凹槽;
在所述第一凹槽内贴装第一转接板,并在所述第二凹槽内贴装第二转接板;
切割所述塑封体和所述基底载板;
其中,所述第一转接板远离所述半导体器件的一侧设置有多个第一焊球,所述第二转接板远离所述半导体器件的一侧设置有第二焊球,所述半导体器件同时与所述第一转接板和所述第二转接板电连接。
10.一种半导体封装结构的制备方法,用于制备如权利要求1-8任一项所述的半导体封装结构,其特征在于,包括:
在载具上贴装半导体器件;
在所述载具上塑封形成包覆在所述半导体器件外的塑封体;
去除所述载具,以使所述半导体器件外露于所述塑封体的一侧表面;
在所述塑封体的一侧表面塑封形成覆盖在所述半导体器件上的基底载板;
在所述塑封体的另一侧表面开槽形成贯通至所述半导体器件的第一凹槽和第二凹槽;
在所述第一凹槽内贴装第一转接板,并在所述第二凹槽内贴装第二转接板;
切割所述塑封体和所述基底载板;
其中,所述第一转接板远离所述半导体器件的一侧设置有多个第一焊球,所述第二转接板远离所述半导体器件的一侧设置有第二焊球,所述半导体器件同时与所述第一转接板和所述第二转接板电连接。
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