[发明专利]一种基于PVK/ZnO异质结构的新型光电忆阻器

权利要求书

1.一种基于PVK/ZnO异质结构的光电忆阻器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

步骤1：在硅衬底层上表面，通过沉积处理得到钨电极层；

步骤2：按照预设溅射参数，在钨电极层上表面，通过溅射处理得到氧化锌层；

步骤3：在氧化锌层上表面，通过烘烤和退火处理得到聚乙烯基咔唑层；

步骤4：在聚乙烯基咔唑层上表面，通过金属掩膜板溅射处理得到铝电极，以完成忆阻器的制备；

所述步骤3包括：

将溶于1,2-二氯乙烷中的聚乙烯基咔唑溶液旋涂在氧化锌层上表面；

对旋涂后的氧化锌层进行烘烤处理；

对烘烤处理后的氧化锌层进行退火处理，以氧化锌层上表面得到聚乙烯基咔唑层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1包括：

通过磁控溅射设备，在硅衬底层上表面进行沉积处理，以得到钨电极层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设溅射参数包括预设靶材、预设溅射时间、预设溅射功率。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设靶材为纯度为99.99％的ZnO陶瓷靶；所述预设溅射时间为30分钟；所述预设溅射功率为77W。

5.一种采用如权利要求1-4任一所述的方法制备得到的基于PVK/ZnO异质结构的光电忆阻器，其特征在于，所述光电忆阻器自下而上依次包括：

硅衬底、钨电极层、氧化锌层、聚乙烯基咔唑层和铝电极。

6.根据权利要求5所述的光电忆阻器，其特征在于，所述铝电极包括第一铝电极、第二铝电极和第三铝电极；

第一铝电极、第二铝电极和第三铝电极从左到右依次位于所述聚乙烯基咔唑层上表面。

7.根据权利要求5所述的光电忆阻器，其特征在于，所述氧化锌层的厚度为20nm。